TPS536C9

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具有 VR14 SVID 和 PMBus 的双通道十二相降压数字多相 D-CAP+™ 控制器

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全新 TPS536C9T 正在供货 具有 VR14 SVID 和 PMBus 的双通道十二相降压数字多相 D-CAP+™ 控制器 This product supports native TLVR

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Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 17 Iout (max) (A) 765 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.25 Vout (max) (V) 5.5 Iq (typ) (A) 0.05
Vin (min) (V) 4.5 Vin (max) (V) 17 Iout (max) (A) 765 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Control mode D-CAP+ Rating Catalog Vout (min) (V) 0.25 Vout (max) (V) 5.5 Iq (typ) (A) 0.05
VQFN (RSL) 48 36 mm² 6 x 6
  • 输入电压范围:4.5V 至 17V
  • 输出电压范围:0.25V 至 5.5V
  • 支持 N+M 相位配置(N+M ≤ 12,M ≤ 6)的双路输出
  • 符合 Intel VR14 SVID 标准且支持 PSYS
  • 向后兼容 VR13.HC/VR13.0 SVID
  • 自动 NVM 故障状态记录
  • 动态电流限制,可提高快速电压模式性能
  • 与 TI NexFET™ 功率级完全兼容,可实现高密度解决方案
  • 增强型 D-CAP+ 控制可提供卓越的瞬态性能和出色的动态电流共享
  • 可通过可编程阈值实现动态切相,从而提高轻负载和重负载下的效率
  • 可通过非易失性存储器 (NVM) 进行配置,从而减少外部组件数量
  • 支持精确可调自适应电压定位(AVP、负载线)
  • 单独的每相位 IMON 校准,具有多斜率增益校准以提高系统精度。
  • 快速增相可实现瞬态下冲衰减
  • 具有可编程超时的二极管制动,可减少瞬态过冲
  • 获得专利的 AutoBalance™ 电流共享
  • 可编程的每相位谷值电流限制 (OCL)
  • PMBus™ v1.3.1 系统接口,用于遥测电压、电流、功率、温度和故障条件
  • 可通过 PMBus 对环路补偿进行编程
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 6 mm × 6 mm 48 引脚 QFN 封装
  • 输入电压范围:4.5V 至 17V
  • 输出电压范围:0.25V 至 5.5V
  • 支持 N+M 相位配置(N+M ≤ 12,M ≤ 6)的双路输出
  • 符合 Intel VR14 SVID 标准且支持 PSYS
  • 向后兼容 VR13.HC/VR13.0 SVID
  • 自动 NVM 故障状态记录
  • 动态电流限制,可提高快速电压模式性能
  • 与 TI NexFET™ 功率级完全兼容,可实现高密度解决方案
  • 增强型 D-CAP+ 控制可提供卓越的瞬态性能和出色的动态电流共享
  • 可通过可编程阈值实现动态切相,从而提高轻负载和重负载下的效率
  • 可通过非易失性存储器 (NVM) 进行配置,从而减少外部组件数量
  • 支持精确可调自适应电压定位(AVP、负载线)
  • 单独的每相位 IMON 校准,具有多斜率增益校准以提高系统精度。
  • 快速增相可实现瞬态下冲衰减
  • 具有可编程超时的二极管制动,可减少瞬态过冲
  • 获得专利的 AutoBalance™ 电流共享
  • 可编程的每相位谷值电流限制 (OCL)
  • PMBus™ v1.3.1 系统接口,用于遥测电压、电流、功率、温度和故障条件
  • 可通过 PMBus 对环路补偿进行编程
  • 无驱动器配置,有助于实现高效的高频开关
  • 6 mm × 6 mm 48 引脚 QFN 封装

TPS536C9 是一款符合 VR14 SVID 标准的降压控制器,具有双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和 PMBus™ 接口,而且与 TI NexFET™ 功率级完全兼容。D-CAP+ 架构等高级控制特性以及下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR) 可提供快速瞬态响应、最低输出波纹和出色的动态电流共享。该器件还提供全新的相位交错策略和动态切相功能,可有效提升轻负载条件下的效率。还本地支持输出电压转换率和自适应电压定位的可调控制。此外,该器件还支持 PMBus 通信接口,可向主机系统报告遥测的电压、电流、功率、温度和故障状况。所有可编程参数均可通过 PMBus 接口进行配置,而且可作为新的默认值存储在 NVM 中,以尽可能减少外部组件数量。

TPS536C9 器件采用散热增强型 48 引脚 QFN 封装,额定工作温度为 –40°C 至 125°C。

TPS536C9 是一款符合 VR14 SVID 标准的降压控制器,具有双通道、内置非易失性存储器 (NVM) 和 PMBus™ 接口,而且与 TI NexFET™ 功率级完全兼容。D-CAP+ 架构等高级控制特性以及下冲衰减 (USR) 和过冲衰减 (OSR) 可提供快速瞬态响应、最低输出波纹和出色的动态电流共享。该器件还提供全新的相位交错策略和动态切相功能,可有效提升轻负载条件下的效率。还本地支持输出电压转换率和自适应电压定位的可调控制。此外,该器件还支持 PMBus 通信接口,可向主机系统报告遥测的电压、电流、功率、温度和故障状况。所有可编程参数均可通过 PMBus 接口进行配置,而且可作为新的默认值存储在 NVM 中,以尽可能减少外部组件数量。

TPS536C9 器件采用散热增强型 48 引脚 QFN 封装,额定工作温度为 –40°C 至 125°C。

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* 数据表 TPS536C9 具有 PMBus 和 VR14 SVID 接口的双channel(N + M ≤ 12 相)D-CAP+™、降压多相控制器 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 英语版 (Rev.A) PDF | HTML 2023年 5月 8日

设计和开发

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订购和质量

包含信息:
  • RoHS
  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 鉴定摘要
  • 持续可靠性监测
包含信息:
  • 制造厂地点
  • 封装厂地点

支持和培训

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