封装信息
| 封装 | 引脚 DSBGA (YFX) | 12 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 3,000 | LARGE T&R |
LMG1205 的特性
- 独立的高边和低边 TTL 逻辑输入
- 1.2A 峰值拉电流，5A 灌电流
- 高边浮动偏置电压轨 工作电压高达 100VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离输出实现可调的 导通/关断强度
- 0.6Ω 下拉电阻，2.1Ω 上拉电阻
- 快速传播时间（典型值为 35ns）
- 出色的传播延迟匹配 （典型值为 1.5ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
LMG1205 的说明
LMG1205 设计用于驱动采用同步降压、升压或半桥配置的高边和低边增强模式氮化镓 (GaN) FET。此器件具有一个集成于内部的 100V 自举二极管，还为高边和低边输出分别提供了独立的输入，可实现最大程度的灵活控制。高边偏置电压采用自举技术生成，内部钳位为 5V，可防止栅极电压超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压额定值。LMG1205 的输入与 TTL 逻辑兼容，并且无论 VDD 电压如何，都能够承受高达 14V 的输入电压。LMG1205 具有分离栅输出，可独立灵活地调节导通和关断强度。
此外，LMG1205 具有强劲的灌电流能力，可使栅极保持低电平状态，从而防止开关操作期间发生意外导通。LMG1205 的工作频率可高达数 MHz。LMG1205 采用 12 引脚 DSBGA 封装，具有紧凑的外形尺寸和超小的封装电感。