产品详细信息

Vin (Min) (V) 1.5 Vin (Max) (V) 5.5 Number of channels (#) 1 Features Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.00015 Iq (Max) (mA) 0.0003 FET Integrated single FET Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) 46 Design support EVM Rating Automotive
Vin (Min) (V) 1.5 Vin (Max) (V) 5.5 Number of channels (#) 1 Features Enable, Gate ON/OFF control, Power good signal, Reverse current blocking, Reverse polarity protection Iq (Typ) (mA) 0.00015 Iq (Max) (mA) 0.0003 FET Integrated single FET Operating temperature range (C) -40 to 125 VSense reverse (Typ) (mV) 46 Design support EVM Rating Automotive
SOT-SC70 (DCK) 6 4 mm² 2 x 2.1
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 宽工作电压范围:1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向关断电压: 绝对最大值为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX):1.5A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 79mΩ(典型值)
    • 3.6V VIN = 91mΩ(典型值)
    • 1.8V VIN = 141mΩ(典型值)
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗:
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN):120nA(典型值)
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN):150nA(典型值)
  • 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 标准:
    • 器件温度等级 1:-40°C 至 125°C 环境工作温度范围
  • 宽工作电压范围:1.5V 至 5.5V
  • VIN 反向关断电压: 绝对最大值为 –6V
  • 最大持续电流 (IMAX):1.5A
  • 导通电阻 (RON):
    • 5V VIN = 79mΩ(典型值)
    • 3.6V VIN = 91mΩ(典型值)
    • 1.8V VIN = 141mΩ(典型值)
  • 启用比较器芯片 (CE)
  • 通道状态指示 (ST)
  • 低电流消耗:
    • 3.6V VIN 关断电流 (ISD,VIN):120nA(典型值)
    • 3.6V VIN 静态电流 (IQ, VIN):150nA(典型值)

LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管,是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET,并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时,该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时,MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能,可保护器件不受输入接线错误的影响,例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件,其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中,该器件将最高输入电压传递到输出端,同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压,从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装,工作结温范围为 –40°C 至 150°C。

LM66100-Q1 是一款单输入单输出 (SISO) 集成式理想二极管,是各种应用的理想之选。该器件包含一个可在 1.5V 至 5.5V 输入电压范围内运行的 P 沟道 MOSFET,并且支持 1.5A 的最大持续电流。

该芯片通过比较 CE 引脚电压和输入电压来提供支持。当 CE 引脚电压高于输入电压时,该器件被禁用并且 MOSFET 关断。当 CE 引脚电压比较低时,MOSFET 开启。LM66100-Q1 还具有反极性保护 (RPP) 功能,可保护器件不受输入接线错误的影响,例如电池装反。

可在 ORing 配置中使用两个 LM66100-Q1 器件,其实施方法与双二极管 ORing 相似。在此配置中,该器件将最高输入电压传递到输出端,同时阻断反向电流流入输入电源。这些器件可比较输入和输出电压,从而确保内部电压比较器成功阻断反向电流。

LM66100-Q1 采用标准 SC-70 封装,工作结温范围为 –40°C 至 150°C。

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* 数据表 LM66100-Q1 具有输入极性保护功能的 5.5V、1.5A、79mΩ、汽车类低 IQ 理想二极管 数据表 (Rev. A) PDF | HTML 下载英文版本 (Rev.A) PDF | HTML 04 May 2022

设计和开发

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评估板

LM66100EVM — LM66100 ±6V、1.5A 低 IQ 理想二极管评估模块

The LM66100 evaluation module (EVM) is an assembled and tested circuit for evaluating the LM66100 ideal diode. The LM66100EVM allows the user to apply different input voltages (1.5 V to 5.5 V) under different loading conditions (0 A to 1.5 A), and evaluate configurations such as Dual ORing and (...)
用户指南: PDF
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模拟工具

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包含信息:
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  • REACH
  • 器件标识
  • 引脚镀层/焊球材料
  • MSL 等级/回流焊峰值温度
  • MTBF/时基故障估算
  • 材料成分
  • 认证摘要
  • 持续可靠性监测

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