封装信息
| 封装 | 引脚 WSON (NGT) | 8 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 4,500 | LARGE T&R |
LM5109B 的特性
- 可驱动高侧和低侧 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
- 1A 峰值输出电流（1.0A 灌电流和 1.0A 拉电流）
- 与独立的晶体管-晶体管逻辑电路 (TTL) 和互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容的输入
- 自举电源电压高达 108VDC
- 短暂传播时间（典型值为 30ns）
- 可以 15ns 的上升和下降时间驱动 1000pF 负载
- 优异的传播延迟匹配（典型值为 2ns)
- 支持电源轨欠压锁定
- 低功耗
- 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和耐热增强型 8 引脚晶圆级小外形无引线 (WSON) 封装
应用
- 电流反馈推挽式转换器
- 半桥和全桥电源转换器
- 固态电机驱动器
- 双开关正激电源转换器
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LM5109B 的说明
LM5109B 器件是一款经济高效的高电压栅极驱动器，专为驱动采用同步降压或半桥配置的高侧和低侧 N 沟道 MOSFET 而设计。悬空
高侧驱动器能够在高达 90V 的电源轨电压下工作。输出通过经济高效的 TTL 和
CMOS 兼容输入阈值独立控制。稳健可靠的电平转换技术同时拥有高运行速度和低功耗特性，并且可提供从控制输入逻辑到高侧栅极驱动器的干净电平转换。该器件在低侧和高侧电源轨上提供了欠压锁定功能。该器件采用 8 引脚 SOIC 和耐热增强型 8 引脚 WSON 封装。