封装信息
| 封装 | 引脚 SOIC (DW) | 16 |
| 工作温度范围 (°C) -40 to 125 |
| 包装数量 | 包装 2,000 | LARGE T&R |
ISO5852S-Q1 的特性
- 适用于汽车电子 应用
- 具有符合 AEC-Q100 标准的下列结果：
- 器件温度 1 级：-40°C 至 125°C 的环境运行温度范围
- 器件人体模型 (HBM) 分类等级 3A
- 器件充电器件模型 (CDM) 分类等级 C6
- VCM = 1500V 时，共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为 100kV/μs
- 分离输出，可提供 2.5A 峰值拉电流和 5A 峰值灌电流
- 短暂传播延迟：76ns（典型值），
110ns（最大值） - 2A 有源米勒钳位
- 输出短路钳位
- 短路期间的软关断 (STO)
- 在检测到去饱和故障时通过 FLT 发出故障报警，并通过 RST 复位
- 具有就绪 (RDY) 引脚指示的输入和输出欠压锁定 (UVLO)
- 有源输出下拉特性，在低电源或输入悬空的情况下默认输出低电平
- 2.25V 至 5.5V 输入电源电压
- 15V 至 30V 输出驱动器电源电压
- 互补金属氧化物半导体 (CMOS) 兼容输入
- 抑制短于 20ns 的输入脉冲和瞬态噪声
- 可承受的浪涌隔离电压达 12800VPK ”
- 安全相关认证：
- 符合 DIN V VDE V 0884-10 (VDE V 0884-10):2006-12 标准的 8000 VPK VIOTM 和 2121 VPK VIORM 增强型隔离
- 符合 UL 1577 标准且长达 1 分钟的 5700 VRMS 隔离
- CSA 组件验收通知 5A，IEC 60950-1 和 IEC 60601-1 终端设备标准
- 符合 EN 61010-1 和 EN 60950-1 标准的 TUV 认证
- GB4943.1-2011 CQC 认证
- 已通过 UL、VDE、CQC、TUV 认证并规划进行 CSA 认证
应用
- 隔离式绝缘栅双极型晶体管 (IGBT) 和金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 驱动器：
- 混合动力汽车 (HEV) 和电动车 (EV) 电源模块
- 工业电机控制驱动
- 工业电源
- 太阳能逆变器
- 感应加热
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ISO5852S-Q1 的说明
ISO5852S-Q1 器件是一款用于 IGBT 和 MOSFET 的 5.7 kVRMS 增强型隔离栅极驱动器，具有分离输出（OUTH 和 OUTL）以及 2.5A 的拉电流能力和 5A 的灌电流能力。输入端由 2.25V 至 5.5V 的单电源供电运行。输出端允许的电源范围为 15V 至 30V。两个互补 CMOS 输入控制栅极驱动器的输出状态。76ns 的短暂传播时间保证了对于输出级的精确控制。中的文本由“3V 至 5.5V 单电源”更改为“2.25V 至 5.5V 单电源”中的文本由“IGBT 处于过载状态”更改为“IGBT 处于过流状态”
内置的去饱和 (DESAT) 故障检测功能可识别 IGBT 何时处于过流状态。检测到 DESAT 时，静音逻辑会立即阻断隔离器输出，并启动软关断过程以禁用 OUTH 引脚并将 OUTL 引脚拉至低电平持续 2μs。当 OUTL 引脚达到 2V 时（相对于最大负电源电势 VEE2），栅极驱动器会被“硬”拉至 VEE2 电势，从而立即将 IGBT 关断。已将中的文本由“并降低 OUTL 的电压持续 2μs 以上”更改为“并将 OUTL 拉至低电平持续 2μs”
当发生去饱和故障时，器件会通过隔离隔栅发送故障信号，以将输入端的 FLT 输出拉为低电平并阻断隔离器的输入。静音逻辑在软关断期间激活。FLT 的输出状态将被锁存，并只能在 RDY 引脚变为高电平后通过 RST 输入上的低电平有效脉冲复位。已更改的第 3 段
如果在由双极输出电源供电的正常运行期间关断 IGBT，输出电压会被硬钳位为 VEE2。如果输出电源为单极，那么可采用有源米勒钳位，这种钳位会在一条低阻抗路径上灌入米勒电流，从而防止 IGBT 在高电压瞬态状态下发生动态导通。
栅极驱动器是否准备就绪待运行由两个欠压锁定电路控制，这两个电路会监视输入端和输出端的电源。如果任意一端电源不足，RDY 输出会变为低电平，否则该输出为高电平。
ISO5852S-Q1 采用 16 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 封装. 此器件的额定工作环境温度范围为 -40°C 至 +125°C。