ZHDS016 December   2025 TLV6722

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 独立电源 (H_VCC、M_VCC)
      2. 8.4.2 低电源复位取消置位
      3. 8.4.3 上电复位 (POR)
      4. 8.4.4 输入 (INT/RSTn、LPWn/PRSn(/ePPS)、M_INT)
      5. 8.4.5 输出 (M_RSTn、M_LPWn、M_CLK)
      6. 8.4.6 开关阈值与迟滞
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

开关特性

当 H_VCC = 3.3V 时,M_VCC = 3.3V;在 M_RSTn 和 M_LPWn 时 CL = 15pF,RPU = 10kΩ;在 M_CLK 时 CL = 5pF;TA = 25°C 时(除非另有说明)。
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
tPLH_M_RSTn M_RSTn 区域 1 至区域 2 的传播延迟 INT/RSTn = 0V 至 1.9V 阶跃 600 ns
tPLH_M_RSTn M_RSTn 区域 1 至区域 3 的传播延迟 INT/RSTn = 0V 至 3V 阶跃 600 ns
tPHL_M_RSTn M_RSTn 区域 2 至区域 1 的传播延迟 INT/RSTn = 1.9V 至 0V 阶跃 300 ns
tPHL_M_RSTn M_RSTn 区域 3 至区域 1 的传播延迟 INT/RSTn = 3V 至 0V 阶跃 300 ns
tF_M_RSTn M_RSTn 比较器下降时间 在 M_VCC 80% 至 20% 的范围内测量 2 ns
tPLH_M_LPWn (TLV6722) M_LPWn 区域 1 至区域 2 的传播延迟
 
LPWn/PRSn = 0.95V 至 1.7V 阶跃 450 ns
tPHL_M_LPWn (TLV6722) M_LPWn 区域 2 至区域 1 的传播延迟
 
LPWn/PRSn = 1.7V 至 0.95V 阶跃 300 ns
tR_M_LPWn M_LPWn 比较器上升时间 在 M_VCC 80% 至 20% 的范围内测量 2 ns
tF_M_LPWn M_LPWn 比较器下降时间 在 M_VCC 80% 至 20% 的范围内测量 2
ns
tM_INT_Z2Z3 M_INT 缓冲器区域 2 至区域 3 的传播延迟
 
M_INT = 0V 至 3.3V 阶跃、从 M_INT 的中点到 INT/RSTn = 2.5V 的时间、在 INT/RSTn 时 CL = 15pF 170 ns
tM_INT_Z3Z2 M_INT 缓冲器区域 3 至区域 2 的传播延迟
 
M_INT = 3.3V 至 0V 阶跃、从 M_INT 的中点到 INT/RSTn = 2.5V 的时间、在 INT/RSTn 时 CL = 15pF 50 ns