ZHDS016 December   2025 TLV6722

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
  5. 器件比较
  6. 引脚配置和功能
  7. 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 开关特性
    7. 6.7 典型特性
  8. 参数测量信息
  9. 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
    4. 8.4 器件功能模式
      1. 8.4.1 独立电源 (H_VCC、M_VCC)
      2. 8.4.2 低电源复位取消置位
      3. 8.4.3 上电复位 (POR)
      4. 8.4.4 输入 (INT/RSTn、LPWn/PRSn(/ePPS)、M_INT)
      5. 8.4.5 输出 (M_RSTn、M_LPWn、M_CLK)
      6. 8.4.6 开关阈值与迟滞
  10. 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 接收文档更新通知
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

低电源复位取消置位

TLV6722 TLV6723 TLV6724 M_RSTn 电压与 H_VCC 电压间的关系图 8-3 M_RSTn 电压与 H_VCC 电压间的关系

M_RSTn 是 OSFP/OSFP-XD 模块系统的硬件复位信号。置位 M_RSTn 引脚时,会将模块的状态机保持在复位稳态;因此,明确 M_RSTn 引脚在何种 H_VCC 供电电压下被撤销置位,确保能正常唤醒下游电路,这一点至关重要。M_RSTn 失效取决于 TLV672x 的多个特性参数,例如 H_VCC、V IT+、R2 和 R3。为全面考量影响 M_RSTn 失效的所有因素,特提供 VWAKE_UP 规格值,该 H_VCC 值可触发 M_RSTn 失效。此规范属于系统级规范,需配合主机侧 R1(68kΩ 电阻器)进行测量,以考量主机侧对 INT/RSTn 的贡献。

上图展示了 H_VCC 升压过程中上拉电阻器与 H_VCC 连接时的 M_RSTn 输出状态。在区域 1 中,H_VCC 低于 VPOR 且 TLV672x 内的有源电路处于关闭状态,从而使输出呈 Hi-Z 状态。在区域 2 中,H_VCC 高于 VPOR,内部电路获得足够电压裕度开始工作。但是,由于 H_VCC 电压较低且存在 INT/RSTn 电阻分压器,INT/RSTn 仍低于 V IT+,因此 M_RSTn 输出为低电平(复位置为有效)。在区域 3 中,H_VCC 足够高,使 INT/RSTn 超过 V IT+,因此 M_RSTn 过渡到 Hi-Z(复位置为无效)。VWAKE_UP 是 M_RSTn 置为无效的边界,此时 OSFP 模块系统将脱离复位稳态。