5 结果

使用 DUT 对该器件进行基准测试后取得的结果表明，跟踪误差在较低负载下达到峰值，这点与预期相符，但在较高负载下会显著减少。导致这种情况的主要原因是 R_out 电阻器引入的偏移。一些电流从输入级运算放大器的输出端流经电阻器，而不是全部电流都从检测级的运算放大器流出。由于检测级运算放大器提供更大的驱动能力，因此在较高的负载电流下，该失调会减小。在未施加输入的情况下，驱动器的 B 类偏置可以降低功率耗散，但也会导致非线性软启动行为，从而增加上升时间。这种效应在较低负载电流下更加明显，此时死区时间占总切换时间的比例较大。该结果限制为 30A，因为这是标准电流探头的常见额定值，不过，该电路板能够驱动更高的电流。我们使用短电缆和香蕉插孔连接器以 5V DUT 对结果进行了基准测试。将电路板焊接到 DUT 输出电容器组可以缩短上升时间，为此，电路板的右上角会露出用于 DUT 连接（顶层）和 GND（底层）点的覆铜。以下结果是在使用 500µs 脉冲、1µs 上升和下降时间输入以及扫描振幅 (V_in) 的条件下获得。

除对脉冲瞬态性能进行基准测试外，还施加了各种输入波形，以观察相应的负载波形。一个值得注意的方面是，由于上述驱动器偏置方案，输出电流在接近 0A 时失真。