闪存用于存储应用代码和数据、器件引导配置以及 TI 在工厂预编程的参数。闪存分为一个或多个存储体，每个存储体中的存储器进一步映射到一个或多个逻辑存储区域，并分配有系统地址空间以供应用程序使用。

存储器组

非易失性存储器系统支持多达 4 个闪存存储体（枚举为 BANK0 到 BANK3）。存在的闪存存储体数量取决于器件。在 AM13E230x 器件上，一个存储体上的编程/擦除操作也将暂停向正在执行编程/擦除操作的存储体发出的读取请求，但不会暂停向任何其他存储体发出的读取请求。因此，存在多个存储体可实现以下应用案例：

• 双映像固件更新（应用程序可以从一个闪存存储体中执行代码，同时将第二个映像编程到第二个对称的闪存存储体，而不会暂停应用程序的执行）
• EEPROM 仿真（应用程序可以从一个闪存存储体中执行代码，第二个闪存存储体用于写入数据，而不会暂停应用程序的执行）

闪存区域

根据每个组中存储器所支持的功能，每个组中的存储器映射到一个或多个逻辑区域。有四个区域：

• FACTORY – 器件 ID 和其他参数
• NONMAIN – 器件引导配置（BCR 和 BSL）
• MAIN – 应用程序代码和数据
• DATA – 数据或 EEPROM 仿真

具有一个存储体的器件在 BANK0（唯一存在的存储体）上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，并且数据区域不可用。具有多个存储体的器件也在 BANK0 上实现 FACTORY、NONMAIN 和 MAIN 区域，但包括可实现 MAIN 或 DATA 区域的其他存储体（BANK1 至 BANK3）。所有器件都包含一个存储器映射出厂区域，该区域提供描述器件功能的只读数据以及任何出厂提供的修整信息，供应用软件使用。