3 背对背及双向 FET 的共漏极配置中的偏置电源

背对背 FET 及双向开关的共漏极配置极大地影响了单级 OBC 初级侧隔离式辅助电源的架构。开关没有共源极，因此无法使用相同的隔离式辅助电源输出为两个 FET 供电。在双向开关中，可以使用两个单通道栅极驱动器或一个双通道栅极驱动器独立驱动单个封装内的两个 FET。因此，双向开关需要两个不同的隔离式辅助电源。在图 3-1中，相同颜色阴影 FET 可以共享相同的隔离式辅助电源输出。

图 3-1 具有共漏极配置的 3 相单级 OBC 的方框图

共漏极配置总共需要九个隔离式辅助电源输出，其中六个在交流侧，三个在 HV 电池侧。顶部四个 FET 和底部四个 FET 具有共源极，且可共享相同的隔离式偏置电源输出。同样，开关节点处的两个 FET（SW1、SW2、SW3、N）也具有一个共源极，使 FET 能够共享同一个隔离式辅助电源输出。

共漏极配置（在双向开关的情况下更常见）需要的隔离式辅助电源输出比节 2中所示的共源极配置少两个。在共源极架构中，两个电源开关紧密背靠背放置。因此，由于 PCB 布局中的寄生效应，共源极架构在两个背靠背开关栅极的 Vgs 差异方面遇到的问题较少。但是，在共漏极配置中，请更加注意这些开关栅极处 Vgs 的差异，尤其是在 SW1、SW2、SW3 和 N 的情况下，因为开关节点（具有共源极）在两个开关之间可能具有更高的寄生效应（例如杂散电感）。