ZHCUDD3A October   2025  – March 2026

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
    1. 1.1 术语
    2. 1.2 主要系统规格
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 AM2612
      2. 2.3.2 DRV7167A
      3. 2.3.3 AMC0106M05
      4. 2.3.4 DP83826A
  9. 3系统设计原理
    1. 3.1 AM2612 电机控制和通信接口
    2. 3.2 直流链路和接地配置
    3. 3.3 具有 DRV7167A 半桥 GaN 电机驱动器功率级的三相逆变器
    4. 3.4 使用 AMC0106M05 功能隔离式 Δ-Σ 调制器的内联分流精密相电流检测
    5. 3.5 系统电源管理
    6. 3.6 功能安全概念
    7. 3.7 以太网物理层
    8. 3.8 位置反馈接口
  10. 4硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 4.1 硬件要求
      1. 4.1.1 TIDA-010979 PCB 概览
      2. 4.1.2 TIDA-010979 硬件设置
    2. 4.2 软件要求
    3. 4.3 测试设置
    4. 4.4 测试结果
      1. 4.4.1 电源管理和系统上电和断电
      2. 4.4.2 半桥 GaN 电机驱动器功率级开关节点
      3. 4.4.3 功率级热测量
      4. 4.4.4 相电流检测和位置反馈
      5. 4.4.5 EtherCAT® 通信
  11. 5设计和文档支持
    1. 5.1 设计文件
      1. 5.1.1 原理图
      2. 5.1.2 BOM
      3. 5.1.3 布局图
      4. 5.1.4 Altium 工程
      5. 5.1.5 Gerber 文件
      6. 5.1.6 装配图
    2. 5.2 工具与软件
    3. 5.3 文档支持
    4. 5.4 支持资源
    5. 5.5 商标
  12. 6作者简介
  13. 7修订历史记录

2.3.2 DRV7167A

DRV7167A 是一款 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件包含两个 GaN FET，它们由采用半桥配置的同一高频 GaN FET 驱动器驱动，如图 2-3 所示。该器件支持两个 FET 的导通和关断压摆率控制、与 IO 数量受限的控制器配合使用的单 PWM 模式、短路保护 (SCP)、过热检测 (OTD) 以及尽可能缩短第三象限导通时间的零电压检测 (ZVD) 报告。表 2-2 总结了关键特性。

TIDA-010979 DRV7167A 功能框图图 2-3 DRV7167A 功能框图
表 2-2 DRV7167A 的特性与优势
特性优势
集成高侧和低侧 GaN 驱动器和 100V GaN FET、2.2mΩ 器件可支持 70A DC 工作电流。支持高达 60VDC 的三相逆变器，在 80kHz 高开关频率下具有 16ARMS 相电流，适用于低电感和高速驱动器。
完全无接合线封装和经过优化的引脚排列。最小化封装寄生元件可实现超快速开关，从而降低开关损耗，减少或消除散热器。简单的 PCB 布局。
GaN FET 具有零反向恢复特性（第三象限运行模式）和极小的输入电容 CISS。减少或消除硬开关中的响铃，例如在逆变器中减少 EMI。极低的过冲和下冲意味着在相同的最大额定电压下具有比 Si-FET 更高的额定直流链路电压。
出色的传播延迟匹配 (2ns FET)。每个半桥均可实现超低死区，从而大幅降低三相逆变器应用中的开关损耗并消除相电压中的死区时间失真。
独立的高侧和低侧晶体管-晶体管逻辑 (TTL) 输入。通过 PWM 接口直接连接到 3.3V MCU。
单个 5V 栅极驱动器电源具有自举电压钳位和欠压锁定功能。轻松进行电源管理。UVLO 可在栅极驱动器欠压的情况下同时关断高侧和低侧 GaN FET。
顶面有两个外露 GaN 裸片（SW 和 PGND）。
底面有大型 PGND 焊盘。		获得更低的顶部热阻。接受两侧冷却。
集成 SCP、OTD 和 ZVD针对外部保护电路减少了 BOM。