ZHCUDA4 August   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 半桥拓扑
      2. 2.2.2 功率耗散设计注意事项
      3. 2.2.3 HPA 漏极电容器组设计
      4. 2.2.4 栅极和漏极脉冲调制注意事项
      5. 2.2.5 其他注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 AFE20408
      2. 2.3.2 LMG2100R026
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
      1. 3.3.1 初始硬件设置
      2. 3.3.2 安装 HPA
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 针对 HPA 进行上偏置和下偏置
      2. 3.4.2 HPA 漏极调制
      3. 3.4.3 HPA 栅极调制
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标

2.3.2 LMG2100R026

LMG2100R026 是一款半桥 GaN 功率级，用于以脉冲打开和关闭 HPA 漏极电源。LMG2100R026 从电路板上的死区时间生成电路接收来自 PA_EN GPIO 信号的高电平信号和低电平信号，以在 28V 至 0V 之间驱动 HPA。作为另一种选择，MSPM0 可安装到电路板上，并使用两个具有可编程死区时间生成功能的互补 PWM 信号进行配置。LMG2100R026 还能够将 HPA 的漏极驱动至更高的电压（例如 GaN HPA 中常见的 50V）。备选的 TI 半桥 GaN 功率级包括 LMG2100R044 和 LMG5200，在决定开关 HPA 漏极时可以考虑这两个功率级。此外，也可以考虑将外部 FET 与 TI 的半桥驱动器 LMG1210 和 LMG1205 配合使用，如 LMG1205 高频运行期间高级 GaN FET 驱动器的设计注意事项 应用手册中所示。