ZHCUDA4 August   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 半桥拓扑
      2. 2.2.2 功率耗散设计注意事项
      3. 2.2.3 HPA 漏极电容器组设计
      4. 2.2.4 栅极和漏极脉冲调制注意事项
      5. 2.2.5 其他注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 AFE20408
      2. 2.3.2 LMG2100R026
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
      1. 3.3.1 初始硬件设置
      2. 3.3.2 安装 HPA
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 针对 HPA 进行上偏置和下偏置
      2. 3.4.2 HPA 漏极调制
      3. 3.4.3 HPA 栅极调制
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标

2.2.2 功率耗散设计注意事项

在实施硬开关半桥实现以生成漏极脉冲时，需要考虑 FET 上的功率耗散，以表明系统散热是可以容忍的。在计算通过半桥 FET 的功率损耗以及比较系统的不同半桥架构时，可以考虑以下公式和系统参数。

方程式 1. Conduction loss formula: I2 × RDS(on) × D
方程式 2. Gate charge loss formula: VIN × QOSS × fSW
方程式 3. Output capacitance losses formula: VIN2 × CLOAD × fSW

其中

  • D 是占空比，以百分比表示
  • fSW 为开关频率
  • CLOAD 是负载电容
  • I 是输出电流
  • VIN 是输入电压
  • RDS(on) 和 QOSS 在半桥功率级或 MOSFET 数据表中进行了定义

上述损耗可以乘以结至板热阻（可在半桥功率级或 MOSFET 数据表的热性能信息中找到），从而计算最终用户电路板的温升。