ZHCUDA4 August   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 半桥拓扑
      2. 2.2.2 功率耗散设计注意事项
      3. 2.2.3 HPA 漏极电容器组设计
      4. 2.2.4 栅极和漏极脉冲调制注意事项
      5. 2.2.5 其他注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 AFE20408
      2. 2.3.2 LMG2100R026
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
      1. 3.3.1 初始硬件设置
      2. 3.3.2 安装 HPA
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 针对 HPA 进行上偏置和下偏置
      2. 3.4.2 HPA 漏极调制
      3. 3.4.3 HPA 栅极调制
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标

1 系统说明

雷达、电子战和导引头前端等国防应用利用高功率放大器传输射频信号，以足够的功率放大信号，从而克服经常有争议的射频环境中的通道损耗。尤其值得关注的是 GaN HPA，它与传统的横向扩散金属氧化物半导体 (LDMOS) HPA 相比，可提供更高的功率密度、给定功率水平下更好的线性度以及更高的效率。HPA 在线性和效率方面主导发送器前端的性能。HPA 在功耗方面的成本也较高。如果适当偏置和监控 HPA 偏置点，可提高效率并降低运营成本。漏极电流会根据温度、漏极电压和栅极电压等因素变化。漏极或栅极偏置电压需要随着 HPA 温度随工作时间的变化而变化，以尽可能提高输出效率。操作员监控 HPA 漏极电流和温度，以提高可靠性。这种监控可用来调整漏极或栅极电压电平。通过调整可补偿 HPA 漏极电流电平的变化。过去，PA 偏置电路采用分立式设计，其中一些 GaN 偏置模块仅需单个输出，尺寸可大于 125mm2。此参考设计的中心是德州仪器 (TI) 的 AFE20408 单芯片，可以监测和偏置多达八个 HPA，同时将偏置电路的尺寸减小 80%。AFE20408 提供可开启和关闭的独立栅极偏置设计。这可与半桥功率级配对使用，为多个 HPA 提供一个双芯片漏极脉冲调制和监控系统。