ZHCUDA4 August   2025

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 半桥拓扑
      2. 2.2.2 功率耗散设计注意事项
      3. 2.2.3 HPA 漏极电容器组设计
      4. 2.2.4 栅极和漏极脉冲调制注意事项
      5. 2.2.5 其他注意事项
    3. 2.3 重点产品
      1. 2.3.1 AFE20408
      2. 2.3.2 LMG2100R026
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 软件要求
    3. 3.3 测试设置
      1. 3.3.1 初始硬件设置
      2. 3.3.2 安装 HPA
    4. 3.4 测试结果
      1. 3.4.1 针对 HPA 进行上偏置和下偏置
      2. 3.4.2 HPA 漏极调制
      3. 3.4.3 HPA 栅极调制
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标

2.2.1 半桥拓扑

HPA 漏极上的半桥功率级控制脉冲上升时间和下降时间、占空比以及脉冲宽度。HPA 漏极上的半桥功率级拓扑允许将脉冲上升和下降时间驱动至 28V 电源轨，或驱动至与是否驱动 FET 的高侧 FET 或低侧栅极相关的 0V 电源轨。上升和下降时间长度可分别由半桥高侧 GaN FET 源极引脚和 VCC 引脚上的电阻值来确定。通过增大电阻值，可以减少过冲和振铃，但代价是会降低压摆率速度。

半桥功率级驱动器的 PWM 输入决定了脉冲调制序列的脉冲宽度和占空比。在该参考设计中，来自 PA 偏置控制器的 PA_ON 信号通过死区时间生成电路，以提供具有死区时间带的互补 PWM 信号，从而防止两个 FET 同时被驱动为高电平，从而防止对半桥造成损坏。概括而言，死区时间生成电路由两条逆变器路径和一个 RC 电路组成，在半桥功率级驱动器的输入端产生具有死区时间带的互补 PWM 信号。增大每个逆变器路径上的电阻器会增大死区时间带，从而更大限度地降低同时导通两个 FET 的风险。该参考设计能够将 MSPM0 BoosterPack 连接到电路板，并且可以将导线从 MSPM0 上的两个 PWM 引脚连接到半桥功率级驱动器的高输入和低输入端（请确保取消安装连接到半桥功率级高输入和低输入端的电阻器）。以这种方式使用 MSPM0 BoosterPack 可实现漏极脉冲控制，同时绕过死区时间生成电路。


TIDA-010289 MSPM0 接线图

图 2-1 MSPM0 接线图