ZHCUCG4 October   2024

 

  1.   1
  2.   说明
  3.   资源
  4.   特性
  5.   应用
  6.   6
  7. 1系统说明
  8. 2系统概述
    1. 2.1 方框图
    2. 2.2 设计注意事项
      1. 2.2.1 总线电压测量精度
      2. 2.2.2 分流电流测量
      3. 2.2.3 绝缘阻抗监测器
    3. 2.3 主要产品
      1. 2.3.1 BQ79731-Q1
      2. 2.3.2 TPSI2140-Q1
      3. 2.3.3 ISO7841
      4. 2.3.4 SN6507
      5. 2.3.5 TPS7B6950
  9. 3硬件、软件、测试要求和测试结果
    1. 3.1 硬件要求
    2. 3.2 测试设置
    3. 3.3 测试结果
      1. 3.3.1 总线电压精度
      2. 3.3.2 电流检测精度
      3. 3.3.3 绝缘阻抗精度
  10. 4设计和文档支持
    1. 4.1 设计文件
      1. 4.1.1 原理图
      2. 4.1.2 BOM
    2. 4.2 工具与软件
    3. 4.3 文档支持
    4. 4.4 支持资源
    5. 4.5 商标
  11. 5作者简介

2.3.2 TPSI2140-Q1

TPSI2140-Q1 是一款隔离式固态继电器，专为高电压汽车和工业应用而设计。TPSI2140-Q1 与 TI 具有高可靠性的电容隔离技术和内部背对背 MOSFET 整合在一起，形成了一款完全集成式设计，无需次级侧电源。

该器件的初级侧仅由 9mA 的输入电流供电，并集成了一个失效防护 EN 引脚，可防止对 VDD 电源反向供电的任何可能性。在大多数应用中，器件的 VDD 引脚必须连接到 5V 至 20V 的系统电源，并且器件的 EN 引脚必须由逻辑高电平 介于 2.1V 至 20V 之间的 GPIO 输出驱动。在其他应用中，VDD 和 EN 引脚可以直接全由系统电源或 GPIO 输出驱动。TPSI2140-Q1 的所有控制配置都不需要光继电器设计通常所需的其他外部元件，例如电阻器或低侧开关。

次级侧包含背对背 MOSFET，从 S1 至 S2 的关断电压为 ±1.2kV。TPSI2140-Q1 MOSFET 的雪崩稳健性和热敏感封装设计使其能够通过系统级电介质耐压测试 (HiPot)，并且无需任何外部元件即可承受高达 2mA 的直流快速充电器浪涌电流。