ZHCUC00 May 2024
如节 3.2.4中所述,移动磁体位置是使用 Z 场和 X 场分量以最高 Z 场幅度通过传感器计算得出的。为了调整离轴测量,测量的 Z 场针对增益和偏移进行了校准。此外,补偿因数乘以 X 磁场的绝对幅度可用于通过位置计算补偿非线性。此外,还校正了 PCB 上每个 TMAG5170 之间的位移。为简单起见,使用相同的值作为每个 TMAG5170 之间的距离。
| TMAG5170 | 1 | 2 | 3 | 4 |
|---|---|---|---|---|
| Z 偏移 | 14.6mT | 14.3mT | 14mT | 13.8mT |
| Z 增益 | 0.94 | 0.93 | 0.94 | 0.94 |
| 位移 | 24.97mm | 24.97mm | 24.97mm | 24.97mm |
| X 轴补偿因数 | 0.001538 | 0.001538 | 0.001538 | 0.001538 |
该位置是在 22°C 室温下以大约 0.4m/s 的线性速度测得的。在数据采集任一端观察到的峰值是磁体离开四通道传感器 PCB 感应范围的结果。
为了测量 Z 场和 X 场本底噪声的影响,我们在 4kHz 下测量了超过 1000 个样本在 14.19cm 处的静态位置误差,如图 4-11 所示。图 4-12 展示了相应的直方图。测量在 22°C 室温条件下进行。
图 4-12 4kHz 采样率下 1000 个样本的静态位置
图 4-13 在磁体位置 14.19cm 处的位置误差直方图表 4-6 显示了相应的标准差和 ENOB 与满标度位置测量范围的关系。
| 四通道 TMAG5170 | 位置误差 | 注释 |
|---|---|---|
| 标准差 [cm] | 0.0053 | |
| 满标量程 [cm] | 10 | 四通道 3D 传感器 |
| ENOB [位] | 10.6 |
每个单独的 TMAG5170 都在 2.5cm 测量范围内提供 8.6 位的 ENOB。由于四通道 TMAG5170 阵列的范围为 10cm,因此整体 ENOB 比上表中所示的位数增加了 2 位,达到 10.6 位。
该测试完成后,以大约 0.4m/s 的线性速度重复了 5 次位置测量,概括了 Z 场和 X 场噪声对绝对精度的影响。图 4-14 展示了测试结果。
更先进的补偿算法可以进一步优化。具有较高磁场强度的磁体允许将 Z 轴的磁场强度增加到 100mT,将 X 轴的磁场强度增加到 50mT,这有助于将信噪比分别提高 2 倍。请参阅线性位置应用的磁体选择(修订版 A)。
可以在下面这个视频中查看 TIDA-060045 的视频演示:使用 3D 霍尔效应传感器进行设计:线性位置编码。为了帮助对磁系统进行仿真,TI 磁感应模拟器 (TIMSS) 工具可以加快磁性系统的设计和评估。