ZHCUAO9A December   2021  – December 2022 TPS4811-Q1

 

  1.   TPS48111Q1EVM：TPS48111-Q1 智能高侧驱动器评估模块
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 EVM 特性
    2. 1.2 EVM 应用
  4. 2说明
  5. 3原理图
  6. 4一般配置
    1. 4.1 物理访问
    2. 4.2 测试设备和设置
      1. 4.2.1 电源
      2. 4.2.2 仪表
      3. 4.2.3 示波器
      4. 4.2.4 负载
  7. 5测试设置和过程
    1. 5.1 预充电功能测试
    2. 5.2 通过 EN 控制实现上电
    3. 5.3 通过 INP 输入进行导通和关断控制
    4. 5.4 过流保护测试
    5. 5.5 输出热短路测试
  8. 6评估板装配图
    1. 6.1 PCB 图
  9. 7物料清单 (BoM)
  10. 8修订历史记录

4.1 物理访问

表 4-1 列出了 TPS48111Q1EVM 评估板输入和输出连接器功能。表 4-2 和表 4-3 介绍了测试点可用性和跳线功能。

表 4-1 输入和输出连接器功能
连接器标签说明
T1VIN输入电源正电源轨的电源输入连接器

T4

PGND电源的接地连接

T2

VOUT负载正极侧的电源输出连接器

T3

PGND负载的接地连接
表 4-2 测试点说明
测试点 标签 说明
TP1 VIN EVM 的输入电源
TP2 VOUT EVM 的输出
TP3 EN/UVLO 使能控制（高电平有效）和欠压输入
TP5

GATE

 外部主 MOSFET 的栅极
TP6

INP

 主 MOSFET 的控制输入
TP7

INP/

 主 MOSFET 的控制输入反转
TP8

TMR

 故障计时器电压
TP9

VAUX

 偏置故障 LED 的辅助电源
TP10 IMON 负载电流监测器
TP11 FLT_I/ 过流故障输出
TP12 FLT_T/ 过热故障输出
TP13 RS+ 电流检测输入的正极端子
TP14 RS– 电流检测输入的负极端子
TP15、

TP16、TP17、TP18

GND

 GND
TP24 INP_G 预充电 MOSFET 的控制输入
TP25

G

 预充电 MOSFET 的栅极
TP26 INP_G/ 预充电 MOSFET 的控制输入反转
表 4-3 跳线和 LED 说明
跳线 标签 说明
J1 TMR

故障计时器设置


1-2 位置设置 15ms 延迟
3-4 位置设置 150ms 延迟
5-6 位置将控制器设置为闭锁模式
J2 IMON 电流量程设置
1-2 位置设置 0.09V/A
3-4 位置设置 0.034V/A
J3 IWRN 过流保护阈值设置
1-2 位置将 RIWRN 设置为短路并禁用过流保护
3-4 位置设置 5A
5-6 位置设置 15A
7-8 位置设置 50A
D4
（红色 – LED）		 D4 故障指示器。LED 因过流故障亮起。
D5
（红色 – LED）

D5

 故障指示器。LED 因过热故障亮起。