ZHCUAO9A December   2021  – December 2022 TPS4811-Q1

 

  1.   TPS48111Q1EVM：TPS48111-Q1 智能高侧驱动器评估模块
  2.   商标
  3. 1引言
    1. 1.1 EVM 特性
    2. 1.2 EVM 应用
  4. 2说明
  5. 3原理图
  6. 4一般配置
    1. 4.1 物理访问
    2. 4.2 测试设备和设置
      1. 4.2.1 电源
      2. 4.2.2 仪表
      3. 4.2.3 示波器
      4. 4.2.4 负载
  7. 5测试设置和过程
    1. 5.1 预充电功能测试
    2. 5.2 通过 EN 控制实现上电
    3. 5.3 通过 INP 输入进行导通和关断控制
    4. 5.4 过流保护测试
    5. 5.5 输出热短路测试
  8. 6评估板装配图
    1. 6.1 PCB 图
  9. 7物料清单 (BoM)
  10. 8修订历史记录

1 引言

TPS48111Q1EVM 可对 TI 的 TPS48111-Q1 智能高侧驱动器进行参考电路评估。TPS48111-Q1 的工作电压范围为 3.5V 至 80V，具有 4A 的强大栅极驱动强度，可在高电流设计中实现开关并联 MOSFET。控制器 TPS48111-Q1 可驱动背对背 N 沟道 MOSFET 并具有一个单独的预充电驱动器 (G)，该驱动器具有独立的控制输入 (INP_G)，可驱动大容性负载。该器件提供配有可调断路器计时器的两级可调过流保护、快速短路保护、准确的模拟电流监视器输出和远程过热保护功能。