按照以下说明捕获预充电电流曲线：
- 首先，通过将 INP (TP6) 和 INP_G (TP24) 接地来禁用主 MOSFET 和预充电 FET。
- 将 EVM 上的跳线设置到默认位置，如表 5-1 所示。
- 将输入电源电压 VIN 设置为 48V，将电流限制设置为 10A。
- 启用电源。
- 通过释放接地连接来启用预充电 MOSFET 的控制输入（TP24 上的 INP_G）。
- 观察 SRC 的波形，即示波器显示的 VOUT (TP2)。
图 5-2 展示了在 TPS48111Q1EVM 评估板上捕获的预充电电流曲线的示例。
图 5-2 输出电容的预充电曲线（VIN = 48V，COUT = 440µF，无负载）