ZHCSZA7 December   2025 MCT8376Z-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级（汽车类）
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 SPI 时序要求
    7. 6.7 SPI 从模式时序
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1  输出级
      2. 7.3.2  PWM 控制模式（1x PWM 模式）
        1. 7.3.2.1 模拟霍尔输入配置
        2. 7.3.2.2 数字霍尔输入配置
        3. 7.3.2.3 异步调制
        4. 7.3.2.4 同步调制
        5. 7.3.2.5 电机运行
      3. 7.3.3  器件接口模式
        1. 7.3.3.1 串行外设接口 (SPI)
        2. 7.3.3.2 硬件接口
      4. 7.3.4  AVDD 和 GVDD 线性稳压器
      5. 7.3.5  电荷泵
      6. 7.3.6  压摆率控制
      7. 7.3.7  跨导（死区时间）
      8. 7.3.8  传播延迟
      9. 7.3.9  引脚图
        1. 7.3.9.1 逻辑电平输入引脚（内部下拉）
        2. 7.3.9.2 逻辑电平输入引脚（内部上拉）
        3. 7.3.9.3 开漏引脚
        4. 7.3.9.4 推挽引脚
        5. 7.3.9.5 七电平输入引脚
      10. 7.3.10 电流检测放大器输出 (SO)
      11. 7.3.11 主动消磁
        1. 7.3.11.1 自动同步整流模式（ASR 模式）
          1. 7.3.11.1.1 自动同步整流（换向模式）
          2. 7.3.11.1.2 自动同步整流（PWM 模式）
        2. 7.3.11.2 自动异步整流模式（AAR 模式）
      12. 7.3.12 逐周期电流限制
        1. 7.3.12.1 具有 100% 占空比输入的逐周期电流限制
      13. 7.3.13 霍尔比较器（模拟霍尔输入）
      14. 7.3.14 超前角
      15. 7.3.15 FGOUT 信号
      16. 7.3.16 保护功能
        1. 7.3.16.1 VM 电源欠压锁定 (RESET)
        2. 7.3.16.2 AVDD 欠压保护 (AVDD_UV)
        3. 7.3.16.3 GVDD 欠压锁定 (GVDD_UV)
        4. 7.3.16.4 VCP 电荷泵欠压锁定 (CPUV)
        5. 7.3.16.5 过压保护 (OV)
        6. 7.3.16.6 过流保护 (OCP)
          1. 7.3.16.6.1 OCP 锁存关断 (OCP_MODE = 00b)
          2. 7.3.16.6.2 OCP 自动重试 (OCP_MODE = 01b)
          3. 7.3.16.6.3 OCP 仅报告 (OCP_MODE = 10b)
          4. 7.3.16.6.4 OCP 已禁用 (OCP_MODE = 11b)
        7. 7.3.16.7 电机锁定 (MTR_LOCK)
          1. 7.3.16.7.1 MTR_LOCK 锁存关断 (MTR_LOCK_MODE = 00b)
          2. 7.3.16.7.2 MTR_LOCK 自动重试 (MTR_LOCK_MODE = 01b)
          3. 7.3.16.7.3 MTR_LOCK 仅报告 (MTR_LOCK_MODE= 10b)
          4. 7.3.16.7.4 MTR_LOCK 已禁用 (MTR_LOCK_MODE = 11b)
        8. 7.3.16.8 热警告 (OTW)
        9. 7.3.16.9 热关断 (OTS)
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 功能模式
        1. 7.4.1.1 睡眠模式
        2. 7.4.1.2 运行模式
        3. 7.4.1.3 故障复位（CLR_FLT 或 nSLEEP 复位脉冲）
      2. 7.4.2 DRVOFF 功能
    5. 7.5 SPI 通信
      1. 7.5.1 编程
        1. 7.5.1.1 SPI 格式
  9. 8 寄存器映射
    1. 8.1 状态寄存器
    2. 8.2 控制寄存器
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 霍尔传感器配置和连接
      1. 9.2.1 典型配置
      2. 9.2.2 开漏配置
      3. 9.2.3 串联配置
      4. 9.2.4 并行配置
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 大容量电容
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
      3. 9.4.3 散热注意事项
        1. 9.4.3.1 功率耗散
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
    2. 10.2 支持资源
    3. 10.3 商标
    4. 10.4 静电放电警告
    5. 10.5 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.3.6 压摆率控制

可调栅极驱动电流控制主动管理半桥中的 MOSFET，以实现压摆率控制。MOSFET VDS 压摆率对优化辐射发射、二极管恢复尖峰的能量和持续时间以及寄生引起的开关电压瞬态有着关键影响。内部 MOSFET 的栅极电荷的速率主要决定这些压摆率，如图 7-12 所示。

MCT8376Z-Q1 压摆率电路实现图 7-12 压摆率电路实现

在硬件器件型号中，每个半桥的压摆率可以通过 GAIN_SLEW_TLOCK 引脚（如表 7-6 所述）进行调整，在 SPI 器件型号中则使用 SLEW 位进行调整。在 SPI 器件中，每个半桥可以选择为 1.1V/ns、0.5V/ns、0.25V/ns 或 0.05V/ns 的压摆率设置。在硬件器件中，每个半桥都可以选择为 1.1V/ns 或 0.25V/ns 的压摆率设置。压摆率根据 OUTx 引脚电压的上升时间和下降时间计算得出，如图 7-13 所示。

MCT8376Z-Q1 压摆率时序图 7-13 压摆率时序
注： MCT8376ZH-Q1 器件仅在上电期间检测 SLEW 引脚，并且在运行期间不支持压摆率更改。在 MCT8376ZS-Q1 器件中，可在运行期间通过寄存器写入来更改压摆率。TI 建议不要在运行期间更改压摆率。