ZHCSZ97 December   2025 MC111

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级 - 通信
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热特性信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 时序要求
    7. 5.7 时序图
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 电机控制
        1. 6.3.1.1 占空比输入
        2. 6.3.1.2 占空比曲线
        3. 6.3.1.3 电机启动、速度变化和停止
        4. 6.3.1.4 开环（占空比）控制
        5. 6.3.1.5 闭环（速度）控制
        6. 6.3.1.6 换相
          1. 6.3.1.6.1 霍尔传感器
            1. 6.3.1.6.1.1 场方向定义
            2. 6.3.1.6.1.2 内部霍尔锁存传感器输出
          2. 6.3.1.6.2 霍尔偏移
          3. 6.3.1.6.3 方波换相
          4. 6.3.1.6.4 软换向
        7. 6.3.1.7 PWM 调制模式
      2. 6.3.2 保护功能
        1. 6.3.2.1 锁定转子保护
        2. 6.3.2.2 电流限值
        3. 6.3.2.3 过流保护 (OCP)
        4. 6.3.2.4 VM 欠压锁定 (UVLO)
        5. 6.3.2.5 VM 过压保护 (OVP)
        6. 6.3.2.6 热关断 (TSD)
        7. 6.3.2.7 集成电源 (VM) 钳位
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 工作模式
      2. 6.4.2 睡眠和待机模式
      3. 6.4.3 故障模式
      4. 6.4.4 测试模式和一次性可编程内存
    5. 6.5 编程
      1. 6.5.1 I2C 通信
        1. 6.5.1.1 I2C 读取
        2. 6.5.1.2 I2C 写入
  8. 7 寄存器映射
    1. 7.1 USR_OTP 寄存器
    2. 7.2 USR_TM 寄存器
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 外部组件
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 大容量电容
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件支持
    2. 9.2 文档支持
      1. 9.2.1 相关文档
    3. 9.3 接收文档更新通知
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录

6.3.2.5 VM 过压保护 (OVP)

当 VM 电压超过 VOVP 上升阈值时，所有 FET 均处于 Hi-Z 状态，并且 FG/RD 引脚会根据 表 6-4 指示锁定转子故障。当 VM 电压降至 VOVP 下降阈值以下时，器件会恢复正常运行。OVP 阈值由 OVP_SEL 进行设置，可以通过将 OVP_EN 设置为 0x0 加以禁用。过压保护具有固定的 80µs 抗尖峰脉冲时间，可以消除伪波 OVP 触发。为避免由于电机正常运行期间的瞬态 VM 峰值而导致错误的 OVP 触发，在软换向的上升和下降间隔期间会禁用过压保护。此外，在消磁间隔期间始终禁用 OVP。此外，在峰值占空比间隔期间提供由 OVP_BLANK_SEL（1ms 或 4ms）设置的可选（通过将 OVP_BLANK_EN 设置为 0x1 来启用）消隐时间，从而提高 OVP 检测稳健性。图 6-30 展示了不同软换向间隔下的 OVP 检测操作。在方波换向中，没有上升/下降间隔，并且如果启用了消隐时间，它将从换向瞬间开始应用。

MC111 OVP 检测图 6-30 OVP 检测