ZHCSZ02A October   2025  – July 2026 DRV7167

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息_DRV7167A
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和失配测量
    2. 7.2 压摆率测量
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  控制输入
        1. 8.3.1.1 EN/FLT 控制
      2. 8.3.2  单路 PWM 模式下的死区时间设置
      3. 8.3.3  启动和 UVLO
      4. 8.3.4  同步自举
      5. 8.3.5  电平转换
      6. 8.3.6  零电压检测 (ZVD) 报告
      7. 8.3.7  压摆率控制
      8. 8.3.8  故障指示
      9. 8.3.9  过流保护 (OCP)
      10. 8.3.10 过热检测 (OTD)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器
        2. 9.2.2.2 GVDD 旁路电容器
        3. 9.2.2.3 功率耗散
      3. 9.2.3 应用曲线
        1. 9.2.3.1 压摆率图
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装信息
      1. 12.1.1 机械数据

5.4 热性能信息_DRV7167A

热指标 (1) DRV7167 单位
QFN
18 引脚
R θJA 结至环境热阻 (1) 26.2 °C/W
RθJC(top) 结至外壳（顶部）热阻 0.3 °C/W
R θJC(Bot) 结至外壳（底部）热阻，低侧 FET 至 PGND 3.5 °C/W
结至外壳（底部）热阻，高侧 FET 至 VM 6.5 °C/W
RθJB 结至电路板热阻 3.6 °C/W
ψJT 结至顶部特征参数 1.5 °C/W
ψJB 结至电路板特征参数 3.5 °C/W
(1) 有关新旧热指标的更多信息，请参阅半导体和 IC 封装热指标 应用手册。