ZHCSZ02A October   2025  – July 2026 DRV7167

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息_DRV7167A
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和失配测量
    2. 7.2 压摆率测量
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  控制输入
        1. 8.3.1.1 EN/FLT 控制
      2. 8.3.2  单路 PWM 模式下的死区时间设置
      3. 8.3.3  启动和 UVLO
      4. 8.3.4  同步自举
      5. 8.3.5  电平转换
      6. 8.3.6  零电压检测 (ZVD) 报告
      7. 8.3.7  压摆率控制
      8. 8.3.8  故障指示
      9. 8.3.9  过流保护 (OCP)
      10. 8.3.10 过热检测 (OTD)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器
        2. 9.2.2.2 GVDD 旁路电容器
        3. 9.2.2.3 功率耗散
      3. 9.2.3 应用曲线
        1. 9.2.3.1 压摆率图
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装信息
      1. 12.1.1 机械数据

1 特性

  • 具有集成驱动器、支持 48V 系统的 100V 半桥 GaN 电机驱动器功率级
  • 低 GaN 导通状态电阻
    • TA=25°C 时，RDS(ON) 为 2.2mΩ（每个 FET）
  • 实现高效、高密度的功率转换
    • 高输出电流能力： 60Arms
    • 支持高达 500kHz 的 PWM 开关频率
    • 超低传播延迟（典型值 20ns）和失配（典型值 2ns）
    • GaN FET 的可配置压摆率
    • 用于优化死区时间的零电压检测 (ZVD) 报告。
    • 独立输入模式 (IIM) 控制
    • 单路 PWM 输入，电阻可编程死区时间，适配 IO 受限的控制器
  • 5V 外部辅助电源
    • 支持 3.3V 和 5V 输入逻辑电平
  • 强大的保护
    • 独立输入模式 (IIM) 下的互锁保护
    • 内部自举电源电压调节，可防止 GaN FET 过驱动
    • 基于 VDS 监测的逐周期短路保护
    • 过热、欠压和短路事件的故障指示
  • 寄生优化 QFN 封装，顶部设有外露焊盘，支持顶面散热。