ZHCSZ02A October   2025  – July 2026 DRV7167

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息_DRV7167A
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和失配测量
    2. 7.2 压摆率测量
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  控制输入
        1. 8.3.1.1 EN/FLT 控制
      2. 8.3.2  单路 PWM 模式下的死区时间设置
      3. 8.3.3  启动和 UVLO
      4. 8.3.4  同步自举
      5. 8.3.5  电平转换
      6. 8.3.6  零电压检测 (ZVD) 报告
      7. 8.3.7  压摆率控制
      8. 8.3.8  故障指示
      9. 8.3.9  过流保护 (OCP)
      10. 8.3.10 过热检测 (OTD)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器
        2. 9.2.2.2 GVDD 旁路电容器
        3. 9.2.2.3 功率耗散
      3. 9.2.3 应用曲线
        1. 9.2.3.1 压摆率图
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装信息
      1. 12.1.1 机械数据

8.3.4 同步自举

DRV7167A 集成了一个从 GVDD 至 BOOT 的同步自举电路，为高侧驱动器提供偏置 (VBOOT-HS)。由于第三象限导通，稳压电源可确保栅极电压不超过增强模式 GaN FET 的最大栅源电压 (VBOOTth_R) 额定值。集成自举 FET 可实现快速恢复，提供 5Ω 低导通电阻和足够的电压裕度，从而实现高效可靠的自举运行。图 8-8 介绍了自举的控制机制。当 LI 输入变为高电平时，BOOT 和 HS 引脚之间连接的外部电容器会在每个开关周期内充电。自举稳压器确认自举电容器在 VBOOTth_U 和 VBOOTth_L 之间充电，如 图 8-9 中所述。TI 建议在启动期间根据 tss 时间提供足够的 LI 脉冲，以便为自举电容器充电。DRV7167A 具有浪涌电流控制功能，同时在启动时为自举充电，以免 GVDD 引脚上出现压降。自举控制机制可避免同步自举 FET 体二极管在 GVDD 和 BOOT 引脚上耦合时的反向恢复。因此，对于同步自举，有效 QRR 为 0。自举控制机制可减少 GVDD 和 HS 电容器上的纹波，并简化 GVDD-AGND 和 BOOT-HS 电容器的尺寸限制。对于无法通过足够的 LI 脉冲为自举电容器充电的应用，TI 建议采用相对于 HS 节点的隔离式电源。请注意，高侧 GaN FET 的栅极电压未在内部钳位。因此，为防止超过高侧 GaN 晶体管栅极击穿电压，应将外部隔离式偏置电源保持在建议的工作条件范围内。有关自举电容器值建议，请参阅 节 9.2.2.1。

DRV7167 同步自举控制逻辑图 8-8 同步自举控制逻辑
DRV7167 自举电容器充电曲线图 8-9 自举电容器充电曲线