ZHCSZ02A October   2025  – July 2026 DRV7167

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息_DRV7167A
    5. 5.5 电气特性
  7. 6 典型特性
  8. 7 参数测量信息
    1. 7.1 传播延迟和失配测量
    2. 7.2 压摆率测量
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  控制输入
        1. 8.3.1.1 EN/FLT 控制
      2. 8.3.2  单路 PWM 模式下的死区时间设置
      3. 8.3.3  启动和 UVLO
      4. 8.3.4  同步自举
      5. 8.3.5  电平转换
      6. 8.3.6  零电压检测 (ZVD) 报告
      7. 8.3.7  压摆率控制
      8. 8.3.8  故障指示
      9. 8.3.9  过流保护 (OCP)
      10. 8.3.10 过热检测 (OTD)
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器
        2. 9.2.2.2 GVDD 旁路电容器
        3. 9.2.2.3 功率耗散
      3. 9.2.3 应用曲线
        1. 9.2.3.1 压摆率图
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息
    1. 12.1 封装信息
      1. 12.1.1 机械数据

3 说明

DRV7167A 器件是一个 100V 半桥功率级系列，具有集成栅极驱动器和增强模式氮化镓 (GaN) FET。该器件由采用半桥配置的高频 GaN FET 驱动器构成，可驱动两个 100V GaN FET。

由于 GaN FET 的反向恢复为零，而且输入电容 (CISS) 和输出电容 (COSS) 都极小，所以 GaN FET 在功率转换方面优势极为显著。所有器件均安装在一个完全无键合线的封装平台上，最大限度减少封装寄生元件，便于在 PCB 板上安装使用。

无论 GVDD 电压如何，TTL 逻辑兼容输入均可支持 3.3V 和 5V 逻辑电平。专有自举电压调节技术可将增强模式 GaN FET 的栅极电压调控至安全工作范围内。该器件配有用户友好型接口且更为出色，进一步提升了分立式 GaN FET 的优势。对于需要小尺寸、高频率、高效率运行的应用，该器件是理想之选。

封装信息
器件型号 封装(1) 封装尺寸(3)（标称值）
DRV7167A(2) VBN（VQFN、18） 7.00mm × 4.50mm
(1) 如需了解所有可用封装，请参阅数据表末尾的可订购产品附录。
(2) 预告信息。产品处于样片和预量产阶段。
(3) 封装尺寸（长 × 宽）为标称值，并包括引脚（如适用）。
DRV7167 DRV7167 简化原理图DRV7167 简化原理图