ZHCSYY2A September 2025 – April 2026 ISOTMP35R-Q1
PRODUCTION DATA
ISOTMP35R-Q1 的绝缘寿命采用业界通用的时间依赖性电介质击穿 (TDDB) 方法进行表征。
在此测试中，将隔离栅每一侧的所有引脚都连在一起，形成一种两端子结构。在隔离删两端施加高电压，同时监测介电击穿随时间变化的情况。测试在多个电压电平及温度下进行，施加 60Hz 交流电压。利用测得的数据对隔离栅的长期特性进行建模，并据此确定允许的工作条件。
图 8-4 展示了 TDDB 寿命预测情况。红线代表拟合的 TDDB 模型，对应低于百万分之一的失效率 (1 DPPM)。阴影区域表示器件的推荐工作区域。
在 1,060VRMS 的工作隔离电压及 150°C 的结温下，预计绝缘寿命超过 15 年。在规定的隔离额定值范围内运行可保持预期的绝缘寿命。