ZHCSYY2A September   2025  – April 2026 ISOTMP35R-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  绝缘规格
    6. 6.6  功率等级
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能说明
      1. 7.3.1 集成隔离栅
      2. 7.3.2 输出级和信号特性
        1. 7.3.2.1 传递函数
        2. 7.3.2.2 驱动容性负载
        3. 7.3.2.3 共模瞬态抗扰度 (CMTI)
      3. 7.3.3 热响应
        1. 7.3.3.1 搅拌液体热响应
        2. 7.3.3.2 定向热响应
          1. 7.3.3.2.1 与 NTC 热敏电阻比较
        3. 7.3.3.3 静止空气热响应
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 采用分段线性逼近提高精度
      2. 8.1.2 输出缓冲和信号完整性注意事项
      3. 8.1.3 ADC 接口注意事项
      4. 8.1.4 电源相关建议
      5. 8.1.5 EMI 抑制与滤波
        1. 8.1.5.1 滤波技术
        2. 8.1.5.2 EMI 滤波设计指南
      6. 8.1.6 绝缘寿命
    2. 8.2 布局
      1. 8.2.1 布局指南
      2. 8.2.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

6.9 电气特性

在自然通风条件下的温度范围内且 VDD = 3.1V 至 34V 时测得（除非另有说明）
典型值规格条件：TA = 25°C 且 VDD = 3.3V（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
温度传感器
TERR 温度精度 TA = 25°C ±0.5 °C
TA = 0°C 至 70°C -2.5 2.5
TA = -40°C 至 150°C -3.5 3.5
TLTD 长期稳定性和漂移(1) 1,000 小时，TA = 150°C ±0.25 °C
TGAIN 传感器灵敏度（增益） TA = -40°C 至 150°C 10 mV/°C
VOUT 输出电压 TA = 0°C 500 mV
TA = 25°C 750
TA = 30°C 800
TNL 输出非线性 TA = -40°C 至 150°C -0.8 0.8 °C
tRESP_D 热响应时间
（方向）		 2 层 62mil PCB
2oz。铜		 T63%
TSTEP = 25°C 至 75°C		 3.7 s
tRESP_L 热响应时间
（搅拌液体）		 2 层 62mil PCB
0.5in × 0.5in		 T63%
TSTEP = 25°C 至 150°C		 2
tRESP_A 热响应时间
（静止空气）		 2 层 62mil PCB
0.5in × 0.5in		 T63%
TSTEP = 25°C 至 75°C		 123
模拟输出
VOUTR 输出电压范围 TA = -40°C 至 150°C 100 2000 mV
ZOUT 输出阻抗 ILOAD = 0μA 至 100μA、f = 0Hz 至 1kHz 90 Ω
IOUT 输出电流 VOUT 拉电流 100 μA
VOUT 灌电流 1
IOUT-SC 输出短路电流限制 VOUT 短路拉电流 0.75 5 mA
VOUT 短路灌电流 60 90 μA
CMTI 共模瞬态抗扰度 VDD = 5V，VCM = 750V，tPULSE = 10μs
CLOAD = 1nF，ILOAD = 50μA，ΔVOUT < 200mV		 65.8 kV/μs
REGLI 线路调整率 3.1V ≤ VDD ≤ 34V -1.2 1.2 mV/V
REGLD 负载调整率 ILOAD = 0μA 至 100μA 9 mV
CLOAD 容性负载驱动 RISO = 0Ω 相位裕度 ≥ 45° 2.2 nF
RISO ≥ 300Ω 无限
电源
IQ 静态电流 TA = 25°C、VDD = 3.3V 45 65 μA
TA = -40°C 至 150°C 140
VON-TH 导通阈值电压 TA = -40°C 至 150°C 2.1 2.8 V
VOFF-TH 关断阈值电压 TA = -40°C 至 150°C 1.7 2.1 V
tON 导通时间 CLOAD = 0pF 25 µs
PSRR 电源抑制比 TA = 25°C
VDD = 3.3V		 f = 1kHz -75 dB
f = 100kHz -45
f = 1MHz -25
(1) 在 150°C 结温下进行加速使用寿命测试可确定长期稳定性和漂移。