ZHCSYY2 September   2025 ISOTMP35R-Q1

ADVANCE INFORMATION  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1  绝对最大额定值
    2. 5.2  ESD 等级
    3. 5.3  建议运行条件
    4. 5.4  热性能信息
    5. 5.5  绝缘规格
    6. 5.6  功率等级
    7. 5.7  安全相关认证
    8. 5.8  安全限值
    9. 5.9  电气特性
    10. 5.10 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1 集成隔离栅和热响应
      2. 6.3.2 模拟输出
        1. 6.3.2.1 输出精度
        2. 6.3.2.2 驱动能力
        3. 6.3.2.3 共模瞬态抗扰度 (CMTI)
      3. 6.3.3 热响应
    4. 6.4 器件功能模式
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
      1. 7.1.1 外部缓冲器
      2. 7.1.2 ADC 接口注意事项
      3. 7.1.3 抑制电磁噪声
        1. 7.1.3.1 滤波技术
        2. 7.1.3.2 通用设计指南
        3. 7.1.3.3 PCB 布局实践
      4. 7.1.4 绝缘寿命
    2. 7.2 电源相关建议
      1. 7.2.1 PSRR 注意事项
    3. 7.3 布局
      1. 7.3.1 布局指南
      2. 7.3.2 布局示例
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 文档支持
      1. 8.1.1 相关文档
    2. 8.2 接收文档更新通知
    3. 8.3 支持资源
    4. 8.4 商标
    5. 8.5 静电放电警告
    6. 8.6 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

7.1.3 抑制电磁噪声

ISOTMP35R-Q1 器件设计用于连接包括开关 MOSFET 在内的高压热源。这些器件通常会产生电磁干扰 (EMI) 和噪声，而噪声会耦合到 ISOTMP35R-Q1 的输出 (VOUT) 中。如果未正确滤除，这种噪声可能会造成较大的温度精度误差。因此，有效的 EMI 抑制对于最大限度提高 ISOTMP35R-Q1 器件的精度和可靠性至关重要。