ZHCSYY2A September   2025  – April 2026 ISOTMP35R-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  绝缘规格
    6. 6.6  功率等级
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能说明
      1. 7.3.1 集成隔离栅
      2. 7.3.2 输出级和信号特性
        1. 7.3.2.1 传递函数
        2. 7.3.2.2 驱动容性负载
        3. 7.3.2.3 共模瞬态抗扰度 (CMTI)
      3. 7.3.3 热响应
        1. 7.3.3.1 搅拌液体热响应
        2. 7.3.3.2 定向热响应
          1. 7.3.3.2.1 与 NTC 热敏电阻比较
        3. 7.3.3.3 静止空气热响应
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 采用分段线性逼近提高精度
      2. 8.1.2 输出缓冲和信号完整性注意事项
      3. 8.1.3 ADC 接口注意事项
      4. 8.1.4 电源相关建议
      5. 8.1.5 EMI 抑制与滤波
        1. 8.1.5.1 滤波技术
        2. 8.1.5.2 EMI 滤波设计指南
      6. 8.1.6 绝缘寿命
    2. 8.2 布局
      1. 8.2.1 布局指南
      2. 8.2.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

8.1.5 EMI 抑制与滤波

ISOTMP35R-Q1 常用于包含快速开关器件（如 MOSFET、IGBT 或开关稳压器）的高压系统。此类系统会产生高 dv/dt 瞬变和电磁干扰 (EMI)，这些干扰可通过 PCB 走线、寄生电容或隔离栅耦合至传感器输出。

若未适当抑制，此类耦合噪声可能在输出端 (VOUT) 引入电压扰动，从而导致测量误差或系统精度下降。

ISOTMP35R-Q1 具有高共模瞬态抗扰度 (CMTI)，可更大限度地减小快速共模电压切换的影响，如 节 7.3.2.3 所述。然而，仍需采取系统级滤波和适当的布局实践，以进一步降低噪声耦合并维持可靠运行。

通过本地输出滤波、信号路径滤波、电源滤波以及审慎的布局实践相结合，可实现有效的 EMI 抑制。