ZHCSYY2A September   2025  – April 2026 ISOTMP35R-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  建议运行条件
    4. 6.4  热性能信息
    5. 6.5  绝缘规格
    6. 6.6  功率等级
    7. 6.7  安全相关认证
    8. 6.8  安全限值
    9. 6.9  电气特性
    10. 6.10 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 功能说明
      1. 7.3.1 集成隔离栅
      2. 7.3.2 输出级和信号特性
        1. 7.3.2.1 传递函数
        2. 7.3.2.2 驱动容性负载
        3. 7.3.2.3 共模瞬态抗扰度 (CMTI)
      3. 7.3.3 热响应
        1. 7.3.3.1 搅拌液体热响应
        2. 7.3.3.2 定向热响应
          1. 7.3.3.2.1 与 NTC 热敏电阻比较
        3. 7.3.3.3 静止空气热响应
    4. 7.4 器件功能模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 采用分段线性逼近提高精度
      2. 8.1.2 输出缓冲和信号完整性注意事项
      3. 8.1.3 ADC 接口注意事项
      4. 8.1.4 电源相关建议
      5. 8.1.5 EMI 抑制与滤波
        1. 8.1.5.1 滤波技术
        2. 8.1.5.2 EMI 滤波设计指南
      6. 8.1.6 绝缘寿命
    2. 8.2 布局
      1. 8.2.1 布局指南
      2. 8.2.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装选项附录
    2. 11.2 卷带包装信息
    3. 11.3 机械数据

8.1.5.1 滤波技术

EMI 抑制从原理图层面开始。可对 VOUT 信号路径应用低通滤波，以便在信号到达 ADC 之前衰减高频噪声。

一种典型的实现方案为：在 VOUT 引脚上放置一个电容器 (CLOAD)，靠近 ADC 输入端放置一个 RC 滤波器。位于器件输出端的电容器提供本地高频滤波并降低输出噪声。由于该电容器直接作为输出级的负载，CLOAD 值必须依据 节 7.3.2.2 所述的电容负载驱动能力进行选择。

使用一个串联电阻器 (RISO) 将传感器输出与下游电容隔离开并提高稳定性。当 RISO 大于或等于 300Ω 时，输出在整个电容负载范围内可保持至少 45° 的相位裕度，从而为下游滤波提供更大灵活性。

ADC 输入端的 RC 网络可衰减高频噪声，并将传感器输出与 ADC 采样瞬态隔离开。在布线距离较长或噪声水平较高的应用中，可采用额外的 RC 滤波级。

可选择将铁氧体磁珠插入信号路径或电源路径，以抑制高频干扰。使用铁氧体磁珠时必须在系统级别进行评估，因为如果选择不当，其频率相关阻抗可能引入信号失真。

图 8-3 展示了一种适用于高 EMI 环境或信号布线较长的系统的多级滤波配置示例。在大多数应用中，在 ADC 输入端设置单级 RC 滤波并配合适当选择的 RISO 就足够了。

ISOTMP35R-Q1 适用于高 EMI 环境的多级滤波配置示例图 8-3 适用于高 EMI 环境的多级滤波配置示例

在大多数应用中，对 VDD 和 VOUT 进行滤波足以实现良好的噪声性能。除非存在明显的接地噪声，否则通常无需对接地路径进行滤波，因为接地路径滤波可能引入直流偏移，进而影响测量精度。