表 6-7、图 6-7、图 6-8和图 6-9定义了使用仅 RTC 低功耗模式时的器件功率要求。
表 6-6 仅 RTC 低功耗模式时序 – 电源/信号分配 请参阅:图 6-7、图 6-8和图 6-9
| 波形 |
电源/信号名称 |
| A |
系统功耗 |
| B |
VDDS_RTC(1) |
| C |
VDD_RTC(2) |
| D |
PMIC_LPM_EN0(3) |
| E |
RTC_PORz(4) |
| F |
VDDSHV0(5)、VDDSHV1(5)、VDDA_3P3_USB |
| G |
VDDSHV0(6)、VDDSHV1(6)、VDDS_OSC0、VDDA_PLL0、VDDA_PLL1、VDDS_WKUP、VDDS0、VDDS1、VDDA_ADC、VDDA_1P8_DSI、VDDA_1P8_USB |
| H |
VDDA_3P3_SDIO(7)(8)、VDDSHV2(7)、VDDSHV3(7)、VDDSHV4(7) |
| I |
VDDS_DDR(9) |
| J |
VDD_CORE(10)、VDDA_CORE_DSI(11)、VDDA_CORE_DSI_CLK(11)、VDDA_CORE_USB(11)、VDDA_DDR_PLL0(11) |
| K |
WKUP_OSC0_XI、WKUP_OSC0_XO |
| L |
PORz |
(1) 当使用仅 RTC 低功耗模式时,VDDS_RTC 必须由常开型电源供电。
(2) 当使用仅 RTC 低功耗模式时,VDD_RTC 必须由常开型电源供电。
(3) 当 RTC_PORz 置位时,PMIC_LPM_EN0 通过弱内部上拉来拉至高电平。弱内部上拉被关闭,PMIC_LPM_EN0 在 RTC_PORz 的上升沿被驱动为高电平。RTC 模块可以配置为将 PMIC_LPM_EN0 驱动为低电平以进入仅 RTC 低功耗模式,并将 PMIC_LPM_EN0 驱动为高电平以退出仅 RTC 低功耗模式,从而使 PMIC_LPM_EN0 可用于对所有非 RTC 电源轨进行上电/断电循环。
(4) VDDS_RTC 和 VDD_RTC 电源轨有效后,可以释放 RTC_PORz。
(5) VDDSHV0 和 VDDSHV1 是双电压 IO 电源,可根据应用要求在 1.8V 或 3.3V 下运行。当任何 VDDSHVx [x=0-1] IO 电源在 3.3V 下运行时,应在此波形定义的 3.3V 斜坡周期内,与其他 3.3V 电源一起斜降。
(6) VDDSHV0 和 VDDSHV1 是双电压 IO 电源,可根据应用要求在 1.8V 或 3.3V 下运行。当任何 VDDSHVx [x=0-1] IO 电源在 1.8V 下运行时,应在此波形定义的 1.8V 斜坡周期内,与其他 1.8V 电源一起斜降。
(7) VDDA_3P3_SDIO 旨在支持不依赖于其他电源轨的上电或下电。VDDSHV2、VDDSHV3 和 VDDSHV4 旨在支持上电、下电或不依赖于其他电源轨的动态电压变化。这是支持 UHS-I SD 卡所必需的功能。
(8) VDDA_3P3_SDIO 是内部 SDIO_LDO 的 3.3V 电源轨。该电源轨必须来自为连接到 MMC1 的 UHS-I SD 卡供电的同一 3.3V 电源,从而允许 MMC1 IO 和 SD 卡 IO 在 SD 卡电源断电以复位 SD 卡的同时上电和断电。对于此用例,SDIO_LDO 输出 (CAP_VDDSHV_MMC) 用于为 VDDSHV3 IO 电源轨供电,该电源轨将与 VDDA_3P3_SDIO 电源轨一起斜升和斜降。
(9) VDDS_DDR 没有任何特定的电源序列要求,但 DDR 器件的 JEDEC 标准要求在上电和断电序列期间施加到其 VDD1 电源轨的电势始终大于施加到其 VDD2 电源轨的电势。
(10) 在上电或断电期间,施加到 VDD_CORE 的电势绝不能大于施加到 VDD_RTC 的电势 + 0.18V。这要求 VDD_RTC 在 VDD_CORE 之前斜升并在其之后斜降。
(11) VDDA_CORE_DSI、VDDA_CORE_DSI_CLK、VDDA_CORE_USB 和 VDDA_DDR_PLL0 应来自和 VDD_CORE 一样的电源。应注意确保 VDD_CORE 和 VDDA_CORE_USB 之间的电压差处于 +/- 1% 之内。