ZHCSXX8B March   2025  – November 2025 AM62L

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 特性
  3. 应用
  4. 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 端子配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      11
      2.      12
    3. 5.3 信号说明
      1.      14
      2. 5.3.1  ADC
        1. 5.3.1.1 MAIN 域
          1.        17
      3. 5.3.2  CPSW3G
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
          1.        20
          2.        21
          3.        22
          4.        23
      4. 5.3.3  CPTS
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
          1.        26
      5. 5.3.4  DDRSS
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
          1.        29
      6. 5.3.5  DSI
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
          1.        32
      7. 5.3.6  DSS
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
          1.        35
      8. 5.3.7  ECAP
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
          1.        38
          2.        39
          3.        40
      9. 5.3.8  仿真和调试
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
          1.        43
        2. 5.3.8.2 WKUP 域
          1.        45
      10. 5.3.9  EPWM
        1. 5.3.9.1 MAIN 域
          1.        48
          2.        49
          3.        50
          4.        51
      11. 5.3.10 EQEP
        1. 5.3.10.1 MAIN 域
          1.        54
          2.        55
          3.        56
      12. 5.3.11 GPIO
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
          1.        59
        2. 5.3.11.2 WKUP 域
          1.        61
      13. 5.3.12 GPMC
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
          1.        64
      14. 5.3.13 I2C
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
          1.        67
          2.        68
          3.        69
          4.        70
        2. 5.3.13.2 WKUP 域
          1.        72
      15. 5.3.14 MCAN
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
          1.        75
          2.        76
          3.        77
      16. 5.3.15 MCASP
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
          1.        80
          2.        81
          3.        82
      17. 5.3.16 MCSPI
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
          1.        85
          2.        86
          3.        87
          4.        88
      18. 5.3.17 MDIO
        1. 5.3.17.1 MAIN 域
          1.        91
      19. 5.3.18 MMC
        1. 5.3.18.1 MAIN 域
          1.        94
          2.        95
          3.        96
      20. 5.3.19 OSPI
        1. 5.3.19.1 MAIN 域
          1.        99
      21. 5.3.20 电源
        1.       101
      22. 5.3.21 保留
        1.       103
      23. 5.3.22 系统和其他
        1. 5.3.22.1 启动模式配置
          1. 5.3.22.1.1 MAIN 域
            1.         107
        2. 5.3.22.2 时钟
          1. 5.3.22.2.1 RTC 域
            1.         110
          2. 5.3.22.2.2 WKUP 域
            1.         112
        3. 5.3.22.3 系统
          1. 5.3.22.3.1 MAIN 域
            1.         115
          2. 5.3.22.3.2 RTC 域
            1.         117
          3. 5.3.22.3.3 WKUP 域
            1.         119
      24. 5.3.23 计时器
        1. 5.3.23.1 MAIN 域
          1.        122
        2. 5.3.23.2 WKUP 域
          1.        124
      25. 5.3.24 UART
        1. 5.3.24.1 MAIN 域
          1.        127
          2.        128
          3.        129
          4.        130
          5.        131
          6.        132
          7.        133
        2. 5.3.24.2 WKUP 域
          1.        135
      26. 5.3.25 USB
        1. 5.3.25.1 MAIN 域
          1.        138
          2.        139
    4. 5.4 引脚连接要求
  7. 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  上电小时数 (POH)
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  运行性能点
    6. 6.6  功耗摘要
    7. 6.7  电气特性
      1. 6.7.1  I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.7.2  失效防护复位(FS 复位)电气特性
      3. 6.7.3  高频振荡器 (HFOSC) 电气特性
      4. 6.7.4  低频振荡器 (LFXOSC) 电气特性
      5. 6.7.5  SDIO 电气特性
      6. 6.7.6  LVCMOS 电气特性
      7. 6.7.7  1P8-LVCMOS 电气特性
      8. 6.7.8  RTC-LVCMOS 电气特性
      9. 6.7.9  ADC 电气特性
      10. 6.7.10 DSI (D-PHY) 电气特性
      11. 6.7.11 USB2PHY 电气特性
      12. 6.7.12 DDR 电气特性
    8. 6.8  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.8.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 6.8.2 硬件要求
      3. 6.8.3 编程序列
      4. 6.8.4 对硬件保修的影响
    9. 6.9  热阻特性
      1. 6.9.1 ANB 封装的热阻特性
    10. 6.10 温度传感器特性
    11. 6.11 时序和开关特性
      1. 6.11.1 时序参数和信息
      2. 6.11.2 电源要求
        1. 6.11.2.1 电源压摆率要求
        2. 6.11.2.2 电源时序
          1. 6.11.2.2.1 无低功耗模式时序
          2. 6.11.2.2.2 仅 RTC 低功耗模式时序
          3. 6.11.2.2.3 RTC + IO + DDR 低功耗模式时序
      3. 6.11.3 系统时序
        1. 6.11.3.1 复位时序
        2. 6.11.3.2 时钟时序
      4. 6.11.4 时钟规格
        1. 6.11.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.11.4.1.1 WKUP_OSC0 内部振荡器时钟源
            1. 6.11.4.1.1.1 负载电容
            2. 6.11.4.1.1.2 并联电容
          2. 6.11.4.1.2 WKUP_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
          3. 6.11.4.1.3 LFOSC0 内部振荡器时钟源
          4. 6.11.4.1.4 LFOSC0 LVCMOS 数字时钟源
          5. 6.11.4.1.5 未使用 LFOSC0
        2. 6.11.4.2 输出时钟
        3. 6.11.4.3 PLL
        4. 6.11.4.4 时钟和控制信号转换的建议系统预防措施
      5. 6.11.5 外设
        1. 6.11.5.1  CPSW3G
          1. 6.11.5.1.1 CPSW3G MDIO 时序
          2. 6.11.5.1.2 CPSW3G RMII 时序
          3. 6.11.5.1.3 CPSW3G RGMII 时序
        2. 6.11.5.2  CPTS
        3. 6.11.5.3  DDRSS
        4. 6.11.5.4  DSI
        5. 6.11.5.5  DSS
        6. 6.11.5.6  ECAP
        7. 6.11.5.7  仿真和调试
          1. 6.11.5.7.1 迹线
          2. 6.11.5.7.2 JTAG
        8. 6.11.5.8  EPWM
        9. 6.11.5.9  EQEP
        10. 6.11.5.10 GPIO
        11. 6.11.5.11 GPMC
          1. 6.11.5.11.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
          2. 6.11.5.11.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
          3. 6.11.5.11.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
        12. 6.11.5.12 I2C
        13. 6.11.5.13 MCAN
        14. 6.11.5.14 MCASP
        15. 6.11.5.15 MCSPI
          1. 6.11.5.15.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.11.5.15.2 MCSPI - 外设模式
        16. 6.11.5.16 MMCSD
          1. 6.11.5.16.1 MMC0 - eMMC/SD/SDIO 接口
            1. 6.11.5.16.1.1  旧 SDR 模式
            2. 6.11.5.16.1.2  高速 SDR 模式
            3. 6.11.5.16.1.3  高速 DDR 模式
            4. 6.11.5.16.1.4  HS200 模式
            5. 6.11.5.16.1.5  默认速度模式
            6. 6.11.5.16.1.6  高速模式
            7. 6.11.5.16.1.7  UHS–I SDR12 模式
            8. 6.11.5.16.1.8  UHS–I SDR25 模式
            9. 6.11.5.16.1.9  UHS–I SDR50 模式
            10. 6.11.5.16.1.10 UHS-I DDR50 模式
            11. 6.11.5.16.1.11 UHS–I SDR104 模式
          2. 6.11.5.16.2 MMC1/MMC2 - SD/SDIO 接口
            1. 6.11.5.16.2.1 默认速度模式
            2. 6.11.5.16.2.2 高速模式
            3. 6.11.5.16.2.3 UHS–I SDR12 模式
            4. 6.11.5.16.2.4 UHS–I SDR25 模式
            5. 6.11.5.16.2.5 UHS–I SDR50 模式
            6. 6.11.5.16.2.6 UHS-I DDR50 模式
            7. 6.11.5.16.2.7 UHS–I SDR104 模式
        17. 6.11.5.17 OSPI
          1. 6.11.5.17.1 OSPI0 PHY 模式
            1. 6.11.5.17.1.1 具有 PHY 数据训练的 OSPI0
            2. 6.11.5.17.1.2 无数据训练的 OSPI0
              1. 6.11.5.17.1.2.1 OSPI0 PHY SDR 时序
          2. 6.11.5.17.2 OSPI0 Tap 模式
            1. 6.11.5.17.2.1 OSPI0 Tap SDR 时序
            2. 6.11.5.17.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序
        18. 6.11.5.18 计时器
        19. 6.11.5.19 UART
        20. 6.11.5.20 USB
  8. 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-A53 子系统 (A53SS)
    3. 7.3 其他子系统
      1. 7.3.1 数据移动子系统 (DMSS)
      2. 7.3.2 外设 DMA 控制器 (PDMA)
    4. 7.4 外设
      1. 7.4.1  ADC
      2. 7.4.2  千兆位以太网交换机 (CPSW3G)
      3. 7.4.3  DDR 子系统 (DDRSS)
      4. 7.4.4  显示子系统 (DSS)
      5. 7.4.5  增强型捕获 (ECAP)
      6. 7.4.6  错误定位器模块 (ELM)
      7. 7.4.7  增强型脉宽调制 (EPWM)
      8. 7.4.8  增强型正交编码器脉冲 (EQEP)
      9. 7.4.9  通用接口 (GPIO)
      10. 7.4.10 通用存储器控制器 (GPMC)
      11. 7.4.11 全局时基计数器 (GTC)
      12. 7.4.12 内部集成电路 (I2C)
      13. 7.4.13 模块化控制器局域网 (MCAN)
      14. 7.4.14 多通道音频串行端口 (MCASP)
      15. 7.4.15 多通道串行外设接口 (MCSPI)
      16. 7.4.16 多媒体卡安全数字 (MMCSD)
      17. 7.4.17 八进制串行外设接口 (OSPI)
      18. 7.4.18 计时器
      19. 7.4.19 实时时钟 (RTC)
      20. 7.4.20 通用异步收发器 (UART)
      21. 7.4.21 通用串行总线子系统 (USBSS)
  9. 应用、实施和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 电源
        1. 8.1.1.1 电源设计
        2. 8.1.1.2 配电网络实施指南
      2. 8.1.2 外部振荡器
      3. 8.1.3 JTAG、仿真和跟踪
      4. 8.1.4 未使用的引脚
    2. 8.2 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.2.1 DDR 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.2.2 OSPI/QSPI/SPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.2.2.1 无环回、内部 PHY 环回和内部焊盘环回
        2. 8.2.2.2 外部电路板环回
        3. 8.2.2.3 DQS(仅适用于八路 SPI 器件)
      3. 8.2.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.2.4 高速差分信号布线指南
      5. 8.2.5 散热解决方案指导
    3. 8.3 时钟布线指南
      1. 8.3.1 振荡器路由
  10. 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11.   修订历史记录
  12. 10机械、封装和可订购信息
    1. 10.1 封装信息

引脚连接要求

本节介绍了具有特定连接要求的封装焊球和未使用封装焊球的连接要求。

注:

除非另有说明,否则必须为所有电源引脚提供节 6.4建议运行条件 中指定的电压。

注:

需要补充说明的是,“保持未连接状态”或“无连接”(NC) 表示这些器件焊球编号能连接任何信号布线。

表 5-66 连接要求
ANB
焊球
编号
焊球名称 连接要求
AB16 TRSTn 该焊球必须通过外部拉电阻器连接到 (VSS),以确保如果 PCB 信号布线已连接且未由连接的器件主动驱动,该焊球仍保持有效的逻辑低电平。如果没有 PCB 信号布线连接到焊球,则可以使用内部下拉来保持有效的逻辑低电平。
Y16
AA16
E16
AB14
AC16
Y17
EMU0
EMU1
RESETz
TCK
TDI
TMS
这些焊球每一个均必须通过单独的外部拉电阻器连接到相应的电源(1),以确保如果信号布线 PCB 已连接并且未由连接的器件主动驱动,则与这些焊球相关的输入保持为有效的逻辑高电平。如果没有 PCB 信号布线连接到焊球,则可以使用内部上拉来保持有效的逻辑高电平。
AB19
AB20
EXT_WAKEUP0
EXT_WAKEUP1
其中每一个焊球都必须连接至持续驱动的推挽式唤醒源;或者,当未被主动驱动,通过外部拉电阻器连接至对应的电源(1)或 VSS,以确保这些焊球的输入能根据 RTC 唤醒功能所使用的极性,保持在适当的有效高逻辑电平或低逻辑电平状态。
L22
L23
K22
J23
K23
H22
H23
J22
H19
H20
H21
H18
GPMC0_AD0
GPMC0_AD1
GPMC0_AD2
GPMC0_AD3
GPMC0_AD4
GPMC0_AD5
GPMC0_AD6
GPMC0_AD7
GPMC0_AD8
GPMC0_AD9
GPMC0_AD10
GPMC0_AD11
选择全引脚引导模式配置时,需要将 GPMC0_AD15 和 GPMC0_AD14 拉到 VSS,每个焊球都必须通过单独的外部拉电阻连接到相应的电源(1)或 VSS,以确保与这些焊球相关的输入相应地保持为有效的逻辑高电平或低电平,从而选择所需的器件引导模式。
G23
G22
F22
F23
GPMC0_AD12
GPMC0_AD13
GPMC0_AD14
GPMC0_AD15
这些焊球每一个均必须通过单独的外部拉电阻器连接到相应的电源(1)或 VSS,以确保与这些焊球相关的输入相应地保持为有效的逻辑高电平或低电平,从而选择所需的器件引导模式。
N17
V20
V22
V23
V21
VDDA_ADC
ADC0_AIN0
ADC0_AIN1
ADC0_AIN2
ADC0_AIN3
如果不使用整个 ADC0,则必须将这些焊球中的每一个直接连接到 VSS。
V20
V22
V23
V21
ADC0_AIN0
ADC0_AIN1
ADC0_AIN2
ADC0_AIN3
当 VDDA_ADC 连接到电源时,任何未使用的 ADC0_AIN[3:0] 焊球必须通过电阻拉至 VSS 或者直接连接到 VSS。
L8
M7
M8
N8
P8
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
VDDS_DDR
如果不使用 DDRSS,则必须将这些焊球中的每一个直接连接到 VSS。
M2
L1
M5
L2
L5
H6
L6
K2
J1
H5
R2
N6
T4
N1
T5
T6
W6
V6
N3
N2
N5
N4
M3
P1
P2
K1
L3
F2
W2
F4
F3
F1
E1
G4
H4
H2
H3
V4
T3
T1
U1
U4
V5
U2
W1
G1
G2
V1
V2
L4
J2
DDR0_ACT_n
DDR0_CAS_n
DDR0_RAS_n
DDR0_WE_n
DDR0_A0
DDR0_A1
DDR0_A2
DDR0_A3
DDR0_A4
DDR0_A5
DDR0_A6
DDR0_A7
DDR0_A8
DDR0_A9
DDR0_A10
DDR0_A11
DDR0_A12
DDR0_A13
DDR0_BA0
DDR0_BA1
DDR0_BG0
DDR0_BG1
DDR0_CAL0
DDR0_CK0
DDR0_CK0_n
DDR0_CKE0
DDR0_CS0_n
DDR0_DM0
DDR0_DM1
DDR0_DQ0
DDR0_DQ1
DDR0_DQ2
DDR0_DQ3
DDR0_DQ4
DDR0_DQ5
DDR0_DQ6
DDR0_DQ7
DDR0_DQ8
DDR0_DQ9
DDR0_DQ10
DDR0_DQ11
DDR0_DQ12
DDR0_DQ13
DDR0_DQ14
DDR0_DQ15
DDR0_DQS0
DDR0_DQS0_n
DDR0_DQS1
DDR0_DQS1_n
DDR0_ODT0
DDR0_RESET0_n
如果不使用 DDRSS,请保持未连接状态。注意:仅当 VDDS_DDR 和 VDDS_DDR_C 连接到 VSS 时,此列表中的 DDR0 引脚才能保持未连接状态。当 VDDS_DDR 和 VDDS_DDR_C 连接到电源时,必须按照DDR 电路板设计和布局布线指南中的定义来连接 DDR0 引脚。
U16
T16
VDDA_3P3_SDIO
CAP_VDDSHV_MMC
如果不使用 SDIO_LDO 来为 VDDSHV3 供电,则必须将这些焊球中的每一个直接连接到 VSS。
U11
T12
U12
VDDA_CORE_USB
VDDA_1P8_USB
VDDA_3P3_USB
USB0 与 USB1 共享这些电源轨,因此在使用 USB0 或 USB1 时,这些焊球每一个均必须连接到有效的电源。如果不使用 USB0 和 USB1,则这些焊球每一个均必须直接连接到 VSS。
AC4
AB4
AB3
AC3
AC5
AB5
AC6
AB6
USB0_DM
USB0_DP
USB0_RCALIB
USB0_VBUS
USB1_DM
USB1_DP
USB1_RCALIB
USB1_VBUS
如果不使用 USB0 或 USB1,请将相应的 DM、DP 和 VBUS 焊球保持未连接状态。注意:仅当 VDDA_CORE_USB、VDDA_1P8_USB 和 VDDA_3P3_USB 连接到 VSS 时,USB0_RCALIB 和 USB1_RCALIB 引脚才能保持未连接状态。当 VDDA_CORE_USB、VDDA_1P8_USB 和 VDDA_3P3_USB 连接到电源时,USB0_RCALIB 和 USB1_RCALIB 引脚必须通过单独的适当外部电阻器连接到 VSS。
G13
H12
G14
VDDA_CORE_DSI
VDDA_CORE_DSI_CLK
VDDA_1P8_DSI
如果不使用 DSITX0 并且需要器件边界扫描功能,这些焊球均必须连接至有效电源。如果不使用 DSITX0,并且不需要器件边界扫描功能,这些焊球均可以直接连接到 VSS。
A15
A14
B19
B18
D17
DSI0_TXCLKN
DSI0_TXCLKP
DSI0_TXN0
DSI0_TXP0
DSI0_TXRCALIB
如果不使用 DSITX0,则保持未连接状态。
A18
A17
DSI0_TXN1
DSI0_TXP1
如果 DSITX0 未使用或仅在单通道模式下运行,请保持未连接状态。
A20
A21
DSI0_TXN2
DSI0_TXP2
如果 DSITX0 未使用或仅在单通道或双通道模式下运行,请保持未连接状态。
B22
B21
DSI0_TXN3
DSI0_TXP3
如果 DSITX0 未使用或仅在单通道、双通道或三通道模式下运行,请保持未连接状态。
要确定与任何 IO 关联的电源,请参阅引脚属性 表中的“电源”一列。

注:

内部拉电阻器很弱,在某些工作条件下可能无法提供足够的电流来保持有效的逻辑电平。当连接到具有相反逻辑电平泄漏的元件时,或者当外部噪声源与连接到仅由内部电阻器拉至有效逻辑电平的焊球的信号布线耦合时,可能会出现这种情况。因此,建议使用外部拉电阻器来在具有外部连接的焊球上保持有效的逻辑电平。

很多处理器 I/O 默认处于关闭状态,并且可能需要外部拉电阻器才能将任何所连接器件的输入保持在有效逻辑状态,直到软件初始化相应的 I/O。引脚属性 表的“复位 RX/TX/PULL 期间的焊球状态”和“复位 RX/TX/PULL 后的焊球状态”列中定义了可配置器件 IO 的状态。任何输入缓冲器(RX)关闭的 IO 都可以浮动,而不会损坏器件。但是,任何已打开输入缓冲器 (RX) 的 IO 不得浮动到 VILSS 和 VIHSS 之间的任何电位。输入缓冲器可以进入高电流状态,如果允许在这些电平之间浮动,则可能会损坏 IO 单元。