ZHCSTT1E November   2023  – October 2025 LMK3H0102

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
    2. 6.2 差分电压测量术语
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 模式运行
        2. 7.4.2.2 边缘组合器
        3. 7.4.2.3 数字状态机
        4. 7.4.2.4 展频时钟
        5. 7.4.2.5 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
          1. 7.4.3.1.1 输出格式类型
            1. 7.4.3.1.1.1 LP-HCSL 端接
        2. 7.4.3.2 输出压摆率控制
        3. 7.4.3.3 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出使能
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 8 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器（地址 = 0x0）[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器（地址 = 0x1）[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器（地址 = 0x2）[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器（地址 = 0x3）[复位 = 0x1801]
      5. 8.1.5  R4 寄存器（地址 = 0x4）[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器（地址 = 0x5）[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器（地址 = 0x6）[复位 = 0x0AA0]
      8. 8.1.8  R7 寄存器（地址 = 0x7）[复位 = 0x6503]
      9. 8.1.9  R8 寄存器（地址 = 0x8）[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器（地址 = 0x9）[复位 = 0x3166]
      11. 8.1.11 R10 寄存器（地址 = 0xA）[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器（地址 = 0xB）[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器（地址 = 0xC）[复位 = 0xE800]
      14. 8.1.14 R146 寄存器（地址 = 0x92）[复位 = 0x0000]
      15. 8.1.15 R147 寄存器（地址 = 0x93）[复位 = 0x0000]
      16. 8.1.16 R148 寄存器（地址 = 0x94）[复位 = 0x0000]
      17. 8.1.17 R238 寄存器（地址 = 0xEE）[复位 = 0x0000]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例：更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
      6. 9.2.6 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

7.4.2.2 边缘组合器

使用边缘组合器生成大于 200MHz 的输出频率。要使用边缘组合器，请将 CH0_EDGE_COMB_EN (R3[3]) 或 CH1_EDGE_COMB_EN (R3[7]) 设置为“1”。使用边缘组合器时，两个 FOD 必须以完全相同的频率运行（即分频值必须匹配）。如果任一 CHx_EDGE_COMB_EN 位设置为“1”，器件会通过自动将分频器值从 FOD0 加载到 FOD1 来进行处理。使用边缘组合器时，FOD0 上的 SSC 不受支持，不得启用。任一 FOD 仍可生成 LVCMOS REF_CLK 输出。

为使边缘组合器正常运行，必须满足以下条件：

  • 必须对两个 FOD 的增益校准代码取平均值。例如，如果 DTC1_GAIN_RT = 200，DTC2_GAIN_RT = 220，则这两个字段中都必须写入 210。增益校准代码位于受保护的寄存器空间。使用 R12[7:0] = 0x5B 解锁受保护的寄存器，只写入进行平均处理的增益校准代码，然后通过设置 R12[7:0] = 0x00 来锁定受保护的寄存器。有关更多信息，请参阅 R146、R147 和 R148。
  • 如果边沿组合器仅用于 OUT1，则无论 OUT0 的禁用状态如何，CH0_FOD_SEL (R3[4]) 必须始终设置为“0”(FOD0)。