ZHCSTT1E November   2023  – October 2025 LMK3H0102

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 I2C 接口规范
  7. 6 参数测量信息
    1. 6.1 输出格式配置
    2. 6.2 差分电压测量术语
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 器件块级描述
      2. 7.3.2 器件配置控制
      3. 7.3.3 OTP 模式
      4. 7.3.4 I2C 模式
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 失效防护输入
      2. 7.4.2 分数输出分频器
        1. 7.4.2.1 FOD 模式运行
        2. 7.4.2.2 边缘组合器
        3. 7.4.2.3 数字状态机
        4. 7.4.2.4 展频时钟
        5. 7.4.2.5 整数边界杂散
      3. 7.4.3 输出行为
        1. 7.4.3.1 输出格式选择
          1. 7.4.3.1.1 输出格式类型
            1. 7.4.3.1.1.1 LP-HCSL 端接
        2. 7.4.3.2 输出压摆率控制
        3. 7.4.3.3 REF_CTRL 运行
      4. 7.4.4 输出使能
        1. 7.4.4.1 输出使能控制
        2. 7.4.4.2 输出使能极性
        3. 7.4.4.3 独立输出使能
        4. 7.4.4.4 输出禁用行为
      5. 7.4.5 器件默认设置
    5. 7.5 编程
      1. 7.5.1 I2C 串行接口
      2. 7.5.2 一次性编程序列
  9. 8 器件寄存器
    1. 8.1 寄存器映射
      1. 8.1.1  R0 寄存器（地址 = 0x0）[复位 = 0x0861/0x0863]
      2. 8.1.2  R1 寄存器（地址 = 0x1）[复位 = 0x5599]
      3. 8.1.3  R2 寄存器（地址 = 0x2）[复位 = 0xC28F]
      4. 8.1.4  R3 寄存器（地址 = 0x3）[复位 = 0x1801]
      5. 8.1.5  R4 寄存器（地址 = 0x4）[复位 = 0x0000]
      6. 8.1.6  R5 寄存器（地址 = 0x5）[复位 = 0x0000]
      7. 8.1.7  R6 寄存器（地址 = 0x6）[复位 = 0x0AA0]
      8. 8.1.8  R7 寄存器（地址 = 0x7）[复位 = 0x6503]
      9. 8.1.9  R8 寄存器（地址 = 0x8）[复位 = 0xC28F]
      10. 8.1.10 R9 寄存器（地址 = 0x9）[复位 = 0x3166]
      11. 8.1.11 R10 寄存器（地址 = 0xA）[复位 = 0x0010]
      12. 8.1.12 R11 寄存器（地址 = 0xB）[复位 = 0x0000]
      13. 8.1.13 R12 寄存器（地址 = 0xC）[复位 = 0xE800]
      14. 8.1.14 R146 寄存器（地址 = 0x92）[复位 = 0x0000]
      15. 8.1.15 R147 寄存器（地址 = 0x93）[复位 = 0x0000]
      16. 8.1.16 R148 寄存器（地址 = 0x94）[复位 = 0x0000]
      17. 8.1.17 R238 寄存器（地址 = 0xEE）[复位 = 0x0000]
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 应用方框图示例
      2. 9.2.2 设计要求
      3. 9.2.3 详细设计过程
      4. 9.2.4 示例：更改输出频率
      5. 9.2.5 串扰
      6. 9.2.6 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
      1. 9.3.1 上电时序
      2. 9.3.2 去耦电源输入
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

9.2.5 串扰

当输出在不同频率下运行时，由于器件中的串扰，LMK3H0102 可能会出现性能下降。表 9-1 展示了在常见 LVCMOS 频率下 LMK3H0102 输出的性能。请联系 TI 测量其他组合，以了解串扰对输出性能的影响。

表 9-1 LMK3H0102 LVCMOS 输出串扰 (1)
FOD0 频率 (MHz) FOD1 频率 (MHz) OUT0 频率 (MHz) (2) OUT1 频率 (MHz)(2) 典型 OUT0 RMS 抖动 (fs) (3) 典型 OUT1 RMS 抖动 (fs) (3)
240 250 24 25 852 716
240 270 24 27 457 371
240 200 24 50 832 779
250 240 25 24 784 717
250 270 25 27 757 787
270 240 27 24 429 367
270 250 27 25 913 641
270 200 27 50 865 930
200 240 50 24 806 548
200 270 50 27 913 704
(1) 在 25°C 至 105°C 温度范围内使用差分 LVCMOS 输出格式测得（使用 VDD = VDDO_x = 3.3V，无 SSC）。
(2) OUT0 和 OUT1 分别使用 FOD0 和 FOD1 生成。
(3) RMS 抖动在 12kHz 至 5MHz 积分带宽范围内测得。