ZHCSN84H January   2021  – December 2025 AM6411 , AM6412 , AM6421 , AM6422 , AM6441 , AM6442

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
    1. 3.1 功能方框图
  5. 4 器件比较
    1. 4.1 相关产品
  6. 5 终端配置和功能
    1. 5.1 引脚图
    2. 5.2 引脚属性
      1.      11
      2.      12
    3. 5.3 信号说明
      1.      14
      2. 5.3.1  ADC
        1. 5.3.1.1 MAIN 域
          1.        17
      3. 5.3.2  CPSW3G
        1. 5.3.2.1 MAIN 域
          1.        20
          2.        21
          3.        22
      4. 5.3.3  CPTS
        1. 5.3.3.1 MAIN 域
          1.        25
          2.        26
      5. 5.3.4  DDRSS
        1. 5.3.4.1 MAIN 域
          1.        29
      6. 5.3.5  ECAP
        1. 5.3.5.1 MAIN 域
          1.        32
          2.        33
          3.        34
      7. 5.3.6  仿真和调试
        1. 5.3.6.1 MAIN 域
          1.        37
        2. 5.3.6.2 MCU 域
          1.        39
      8. 5.3.7  EPWM
        1. 5.3.7.1 MAIN 域
          1.        42
          2.        43
          3.        44
          4.        45
          5.        46
          6.        47
          7.        48
          8.        49
          9.        50
          10.        51
      9. 5.3.8  EQEP
        1. 5.3.8.1 MAIN 域
          1.        54
          2.        55
          3.        56
      10. 5.3.9  FSI
        1. 5.3.9.1 MAIN 域
          1.        59
          2.        60
          3.        61
          4.        62
          5.        63
          6.        64
          7.        65
          8.        66
      11. 5.3.10 GPIO
        1. 5.3.10.1 MAIN 域
          1.        69
          2.        70
        2. 5.3.10.2 MCU 域
          1.        72
      12. 5.3.11 GPMC
        1. 5.3.11.1 MAIN 域
          1.        75
      13. 5.3.12 I2C
        1. 5.3.12.1 MAIN 域
          1.        78
          2.        79
          3.        80
          4.        81
        2. 5.3.12.2 MCU 域
          1.        83
          2.        84
      14. 5.3.13 MCAN
        1. 5.3.13.1 MAIN 域
          1.        87
          2.        88
      15. 5.3.14 MCSPI
        1. 5.3.14.1 MAIN 域
          1.        91
          2.        92
          3.        93
          4.        94
          5.        95
        2. 5.3.14.2 MCU 域
          1.        97
          2.        98
      16. 5.3.15 MDIO
        1. 5.3.15.1 MAIN 域
          1.        101
      17. 5.3.16 MMC
        1. 5.3.16.1 MAIN 域
          1.        104
          2.        105
      18. 5.3.17 OSPI
        1. 5.3.17.1 MAIN 域
          1.        108
      19. 5.3.18 电源
        1.       110
      20. 5.3.19 PRU_ICSSG
        1. 5.3.19.1 MAIN 域
          1.        113
          2.        114
      21. 5.3.20 保留
        1.       116
      22. 5.3.21 SERDES
        1. 5.3.21.1 MAIN 域
          1.        119
      23. 5.3.22 系统和其他
        1. 5.3.22.1 启动模式配置
          1. 5.3.22.1.1 MAIN 域
            1.         123
        2. 5.3.22.2 时钟
          1. 5.3.22.2.1 MCU 域
            1.         126
        3. 5.3.22.3 系统
          1. 5.3.22.3.1 MAIN 域
            1.         129
          2. 5.3.22.3.2 MCU 域
            1.         131
        4. 5.3.22.4 VMON
          1.        133
      24. 5.3.23 计时器
        1. 5.3.23.1 MAIN 域
          1.        136
        2. 5.3.23.2 MCU 域
          1.        138
      25. 5.3.24 UART
        1. 5.3.24.1 MAIN 域
          1.        141
          2.        142
          3.        143
          4.        144
          5.        145
          6.        146
          7.        147
        2. 5.3.24.2 MCU 域
          1.        149
          2.        150
      26. 5.3.25 USB
        1. 5.3.25.1 MAIN 域
          1.        153
    4. 5.4 引脚连接要求
  7. 6 规格
    1. 6.1  绝对最大额定值
    2. 6.2  ESD 等级
    3. 6.3  上电小时数 (POH)
    4. 6.4  建议运行条件
    5. 6.5  运行性能点
    6. 6.6  功耗摘要
    7. 6.7  电气特性
      1. 6.7.1  I2C 开漏和失效防护 (I2C OD FS) 电气特性
      2. 6.7.2  失效防护复位（FS 复位）电气特性
      3. 6.7.3  高频振荡器 (HFOSC) 电气特性
      4. 6.7.4  eMMCPHY 电气特性
      5. 6.7.5  SDIO 电气特性
      6. 6.7.6  LVCMOS 电气特性
      7. 6.7.7  ADC12B 电气特性
      8. 6.7.8  USB2PHY 电气特性
      9. 6.7.9  串行器/解串器 PHY 电气特性
      10. 6.7.10 DDR 电气特性
    8. 6.8  一次性可编程 (OTP) 电子保险丝的 VPP 规格
      1. 6.8.1 OTP 电子保险丝编程的建议运行条件
      2. 6.8.2 硬件要求
      3. 6.8.3 编程序列
      4. 6.8.4 对硬件保修的影响
    9. 6.9  热阻特性
      1. 6.9.1 热阻特性
    10. 6.10 温度传感器特性
    11. 6.11 时序和开关特性
      1. 6.11.1 时序参数和信息
      2. 6.11.2 电源要求
        1. 6.11.2.1 电源压摆率要求
        2. 6.11.2.2 电源时序
          1. 6.11.2.2.1 上电时序
          2. 6.11.2.2.2 下电时序
      3. 6.11.3 系统时序
        1. 6.11.3.1 复位时序
        2. 6.11.3.2 安全信号时序
        3. 6.11.3.3 时钟时序
      4. 6.11.4 时钟规格
        1. 6.11.4.1 输入时钟/振荡器
          1. 6.11.4.1.1 MCU_OSC0 内部振荡器时钟源
            1. 6.11.4.1.1.1 负载电容
            2. 6.11.4.1.1.2 并联电容
          2. 6.11.4.1.2 MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源
        2. 6.11.4.2 输出时钟
        3. 6.11.4.3 PLL
        4. 6.11.4.4 时钟和控制信号转换的建议系统预防措施
      5. 6.11.5 外设
        1. 6.11.5.1  CPSW3G
          1. 6.11.5.1.1 CPSW3G MDIO 时序
          2. 6.11.5.1.2 CPSW3G RMII 时序
          3. 6.11.5.1.3 CPSW3G RGMII 时序
          4. 6.11.5.1.4 CPSW3G IOSET
        2. 6.11.5.2  DDRSS
        3. 6.11.5.3  ECAP
        4. 6.11.5.4  EPWM
        5. 6.11.5.5  EQEP
        6. 6.11.5.6  FSI
        7. 6.11.5.7  GPIO
        8. 6.11.5.8  GPMC
          1. 6.11.5.8.1 GPMC 和 NOR 闪存 - 同步模式
          2. 6.11.5.8.2 GPMC 和 NOR 闪存 - 异步模式
          3. 6.11.5.8.3 GPMC 和 NAND 闪存 - 异步模式
          4. 6.11.5.8.4 GPMC0 IOSET
        9. 6.11.5.9  I2C
        10. 6.11.5.10 MCAN
        11. 6.11.5.11 MCSPI
          1. 6.11.5.11.1 MCSPI - 控制器模式
          2. 6.11.5.11.2 MCSPI - 外设模式
        12. 6.11.5.12 MMCSD
          1. 6.11.5.12.1 MMC0 - eMMC 接口
            1. 6.11.5.12.1.1 旧 SDR 模式
            2. 6.11.5.12.1.2 高速 SDR 模式
            3. 6.11.5.12.1.3 高速 DDR 模式
            4. 6.11.5.12.1.4 HS200 模式
          2. 6.11.5.12.2 MMC1 - SD/SDIO 接口
            1. 6.11.5.12.2.1 默认速度模式
            2. 6.11.5.12.2.2 高速模式
            3. 6.11.5.12.2.3 UHS–I SDR12 模式
            4. 6.11.5.12.2.4 UHS–I SDR25 模式
            5. 6.11.5.12.2.5 UHS–I SDR50 模式
            6. 6.11.5.12.2.6 UHS-I DDR50 模式
            7. 6.11.5.12.2.7 UHS–I SDR104 模式
        13. 6.11.5.13 CPTS
        14. 6.11.5.14 OSPI
          1. 6.11.5.14.1 OSPI0 PHY 模式
            1. 6.11.5.14.1.1 具有 PHY 数据训练的 OSPI0
            2. 6.11.5.14.1.2 无数据训练的 OSPI0
              1. 6.11.5.14.1.2.1 OSPI0 PHY SDR 时序
              2. 6.11.5.14.1.2.2 OSPI0 PHY DDR 时序
          2. 6.11.5.14.2 OSPI0 Tap 模式
            1. 6.11.5.14.2.1 OSPI0 Tap SDR 时序
            2. 6.11.5.14.2.2 OSPI0 Tap DDR 时序
        15. 6.11.5.15 PCIe
        16. 6.11.5.16 PRU_ICSSG
          1. 6.11.5.16.1 PRU_ICSSG 可编程实时单元 (PRU)
            1. 6.11.5.16.1.1 PRU_ICSSG PRU 直接 输出模式时序
            2. 6.11.5.16.1.2 PRU_ICSSG PRU 并行捕获模式时序
            3. 6.11.5.16.1.3 PRU_ICSSG PRU 移位模式时序
            4. 6.11.5.16.1.4 PRU_ICSSG PRU Σ-Δ 和外设接口
              1. 6.11.5.16.1.4.1 PRU_ICSSG PRU Σ-Δ 和外设接口时序
          2. 6.11.5.16.2 PRU_ICSSG 脉宽调制 (PWM)
            1. 6.11.5.16.2.1 PRU_ICSSG PWM 时序
          3. 6.11.5.16.3 PRU_ICSSG 工业以太网外设 (IEP)
            1. 6.11.5.16.3.1 PRU_ICSSG IEP 时序
          4. 6.11.5.16.4 PRU_ICSSG 通用异步接收器/发送器 (UART)
            1. 6.11.5.16.4.1 PRU_ICSSG UART 时序
          5. 6.11.5.16.5 PRU_ICSSG 增强型捕获外设 (ECAP)
            1. 6.11.5.16.5.1 PRU_ICSSG ECAP 时序
          6. 6.11.5.16.6 PRU_ICSSG RGMII、MII_RT 和开关
            1. 6.11.5.16.6.1 PRU_ICSSG MDIO 时序
            2. 6.11.5.16.6.2 PRU_ICSSG MII 时序
            3. 6.11.5.16.6.3 PRU_ICSSG RGMII 时序
        17. 6.11.5.17 计时器
        18. 6.11.5.18 UART
        19. 6.11.5.19 USB
      6. 6.11.6 仿真和调试
        1. 6.11.6.1 布线
        2. 6.11.6.2 JTAG
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 处理器子系统
      1. 7.2.1 Arm Cortex-A53 子系统
      2. 7.2.2 Arm Cortex-R5F 子系统 (R5FSS)
      3. 7.2.3 Arm Cortex-M4F (M4FSS)
    3. 7.3 加速器和协处理器
      1. 7.3.1 可编程实时单元子系统和工业通信子系统 (PRU_ICSSG)
    4. 7.4 其他子系统
      1. 7.4.1 PDMA 控制器
      2. 7.4.2 外设
        1. 7.4.2.1  ADC
        2. 7.4.2.2  DCC
        3. 7.4.2.3  双倍数据速率 (DDR) 外部存储器接口 (DDRSS)
        4. 7.4.2.4  ECAP
        5. 7.4.2.5  EPWM
        6. 7.4.2.6  ELM
        7. 7.4.2.7  ESM
        8. 7.4.2.8  GPIO
        9. 7.4.2.9  EQEP
        10. 7.4.2.10 通用存储器控制器 (GPMC)
        11. 7.4.2.11 I2C
        12. 7.4.2.12 MCAN
        13. 7.4.2.13 MCRC 控制器
        14. 7.4.2.14 MCSPI
        15. 7.4.2.15 MMCSD
        16. 7.4.2.16 OSPI
        17. 7.4.2.17 外设组件快速互连 (PCIe)
        18. 7.4.2.18 串行器/解串器 (SerDes) PHY
        19. 7.4.2.19 实时中断 (RTI/WWDT)
        20. 7.4.2.20 双模计时器 (DMTIMER)
        21. 7.4.2.21 UART
        22. 7.4.2.22 通用串行总线子系统 (USBSS)
  9. 8 应用、实施和布局
    1. 8.1 器件连接和布局基本准则
      1. 8.1.1 电源
        1. 8.1.1.1 电源设计
        2. 8.1.1.2 配电网络实施指南
      2. 8.1.2 外部振荡器
      3. 8.1.3 JTAG、仿真和跟踪
      4. 8.1.4 未使用的引脚
    2. 8.2 外设和接口的相关设计信息
      1. 8.2.1 DDR 电路板设计和布局布线指南
      2. 8.2.2 OSPI/QSPI/SPI 电路板设计和布局指南
        1. 8.2.2.1 无环回、内部 PHY 环回和内部焊盘环回
        2. 8.2.2.2 外部电路板环回
        3. 8.2.2.3 DQS（仅适用于八路 SPI 器件）
      3. 8.2.3 USB VBUS 设计指南
      4. 8.2.4 系统电源监测设计指南
      5. 8.2.5 高速差分信号布线指南
      6. 8.2.6 散热解决方案指导
    3. 8.3 时钟布线指南
      1. 8.3.1 振荡器路由
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 器件命名规则
      1. 9.1.1 标准封装编号法
      2. 9.1.2 器件命名约定
    2. 9.2 工具与软件
    3. 9.3 文档支持
    4. 9.4 支持资源
    5. 9.5 商标
    6. 9.6 静电放电警告
    7. 9.7 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息
    1. 11.1 封装信息

10 修订历史记录

All Revision History Changes Intro HTMLApril 22, 2024 to December 19, 2025 (from RevisionG (APRIL 2024)to RevisionH (DECEMBER 2025))

  • 通篇：更新了 12 个时序部分中的介绍性句子。Go
  • （功能方框图）：更新了 PRU-ICSS 模块以包含该器件支持的所有功能Go
  • （器件比较）：改正了 JTAG 用户 ID 寄存器的名称和注释 (1)Go
  • （相关产品）：更新了内容并添加了指向其他产品的链接，以完成设计Go
  • （ALV FCBGA-N441 引脚图）：将图从底视图更改为了顶视图Go
  • （引脚属性 - 复位期间的焊球状态（RX/TX/拉动）：添加了“高：输出缓冲器已启用，并驱动 VOH 至 TX（输出缓冲器）说明，以考虑 MMC0_CMD 引脚复位情况。Go
  • （引脚属性 - 引脚 F18、G18、J21、G19、K20、J20、J18、J17、H17、H19H18 和 G17）：从“电源“列中删除了 VDD_MMC0 和 VDD_DLL_MMC0 内核电源轨，因为 MMC0 IO 工作电压与这些内核电源轨无关Go
  • （引脚属性 - 引脚 AA20、AA19、U16、U17 和 T14）：从“电源“列中删除了 VDDA_0P85_USB0 内核电源轨，因为 USB0 IO 工作电压与该内核电源轨无关Go
  • （引脚属性 - 引脚 T13、W16、W17、Y15、Y16、AA16 和 AA17）：从“电源“列中删除了 VDDA_0P85_SERDES0 和 VDDA_0P85_SERDES0_C 内核电源轨，因为 SERDES0 IO 工作电压与这些内核电源轨无关Go
  • （引脚属性 - 引脚 J21）：在“复位期间的焊球状态（RX/TX/拉动）“列中，将 MMC0_CMD 引脚的 TX 值从“关闭“更改为“高“，以指示复位期间输出缓冲器的正确默认状态Go
  • （信号说明 - 全局）：已将每个“信号说明“表标题中的“引脚类型“更改为“信号类型Go
  • （信号说明 - ADC0）：为 ADC_EXT_TRIGGER0 和 ADC_EXT_TRIGGER1 信号添加了注释，以表明它们具有去抖功能Go
  • （信号说明 - EPWM0）：改正了 EHRPWM0_SYNCO 信号说明Go
  • （信号说明 - EPWM3）：更新了 EHRPWM3_SYNCO 信号说明Go
  • （信号说明 - EPWM6）：改正了 EHRPWM6_SYNCO 信号说明Go
  • （信号说明 - MCSPI4）：改正了 SPI4_CS2 和 SPI4_CS3 信号说明Go
  • （信号说明 - 电源）：更新了与 CAP_VDDSx 引脚相关的表注，以阐明电容降额的必要性并介绍其他连接选项Go
  • （信号说明 - 电源）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • （信号说明 - 电源）：更新了 EXT_REFCLK1 信号功能的说明Go
  • （信号说明 - MCU 系统）：更新了 MCU_PORz 信号功能的说明Go
  • （引脚连接要求）：更新了 I2C0 和 MCU_I2C0 焊球的连接要求说明，以便在选择 GPIO 信号功能时连接外部下拉电阻器Go
  • （引脚连接要求）：更新了 VMON_1P8_MCU、VMON_1P8_SOC、VMON_3P3_MCU 和 VMON_3P3_SOC 焊球的连接要求说明Go
  • （绝对最大额定值）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • （上电小时数）：添加了 125°C 工业和汽车温度范围以及相关的表注Go
  • （建议运行条件）：更新了与 VDD_MMC0 和 VDD_DLL_MMC0 电源轨相关的注释Go
  • （建议运行条件）：更新了几个电源轨的说明以阐明其功能Go
  • （建议运行条件）：将 VPP 参数值替换为一条注释，该注释指向了“建议的 OTP 电子保险丝编程操作条件”表。Go
  • （建议运行条件）：添加了 125°C 工业温度范围Go
  • （I2C 开漏和失效防护电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （I2C 开漏和失效防护电气特性）：将输入漏电流测试条件拆分为两行Go
  • （失效防护复位电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （失效防护复位电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （高频振荡器电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （高频振荡器电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （eMMCPHY 电气特性）向“输入漏电流”参数添加了一个表注Go
  • （eMMCPHY 电气特性）将“输入漏电流测试条件”分成了两行Go
  • （SDIO 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （SDIO 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （LVCMOS 电气特性）：向“输入漏电流”参数添加了表注Go
  • （LVCMOS 电气特性）：将输入漏电流测试条件分为两行Go
  • （ADC12B 电气特性）向“通用输入漏电流”参数添加了一个表注Go
  • （ADC12B 电气特性）将“输入漏电流测试条件”分成了两行Go
  • （建议的 OTP 电子保险丝编程操作条件）：删除了 VDD_CORE 参数说明中的 OPP NOM (BOOT) 引用，并更改了 VPP 压摆率说明以阐明它仅适用于上电Go
  • （对硬件保修的影响）：更新/更改了段落中的“因此，TI 将没有…”句子Go
  • （热阻特性）：添加的注释Go
  • （温度传感器特性）：添加了新的一节来定义电压和温度模块 (VTM) 片上温度传感器特性Go
  • （时序和开关特性）：添加了一条注释，说明必须使用默认的 PADCONFIG 转换率和驱动强度设置，来确保本节中给出的时序值有效。Go
  • （上电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
  • （上电时序）：添加了“上电时序 – 电源/信号分配”表以及波形引用和注释。注释 3 和注释 5 不再提及 VDDSHV5，因为注释 7 中介绍了该电源轨。添加了新的注释 12 并更新了注释 9 和注释 10，以阐明 VDDA_CORE_USB0、VDDA_DDR_PLL0、VDD_MMC0、VDDA_0P85_DLL_MMC0 和 VDDR_CORE 电源轨预计由同一 0.85V 电源供电Go
  • （下电时序）：添加了注释以阐明电源轨必须在启动新的上电序列之前衰减至 300mv 以下Go
  • （下电时序）：添加了“下电时序 – 电源/信号分配”表以及波形引用和注释。注释 1 和注释 2 不再提及 VDDSHV5，因为注释 3 中介绍了该电源轨。更新了断电时序图，以说明系统电源可以在器件电源管理解决方案关闭时保持开启，以及在电源开始按顺序关闭之前 MCU_PORz 可以被置为有效Go
  • （BOOTMODE 时序要求）：更新了参数 RST23 和 RST24 的说明Go
  • （MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源）：更新了本节，以包含其他注释和“MCU_OSC0 LVCMOS 数字时钟源要求”表Go
  • (PLL)：更新了 PLL 名称，以便包含其在 TRM 中使用的编号参考Go
  • （CPSW3G RMII 时序条件）：更改了两个工作电压的最大输入压摆率Go
  • （CPSW3G RGMII 时序条件）：向“输入压摆率”参数添加了工作电压条件以便在 1.8V 下运行时实现宽松的压摆率Go
  • （ECAP – 时序要求和开关特性）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
  • （EPWM – 时序要求和开关特性）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
  • （EQEP – 时序要求）：更新了表注 1 中引用的时钟源Go
  • （GPIO 时序条件）：更新了“输入压摆率”参数以包含具有宽松最小值的工作电压，并更正了在 3.3V 下运行的 I2C OD FS 缓冲器类型的最大值印刷错误。先前 0.8V/ns 的最大值应为 0.08V/ns，以便其等于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的最大值 8E+7Go
  • （GPIO 时序要求）：删除了工作电压条件并更新了脉宽参数的最小值，以将“GPIO 时序条件”表中定义的宽松最小输入转换率考虑在内Go
  • （I2C 时序）：改正了一个印刷错误，即说明中的值 0.8 应为 0.08，相当于“电气特性”表中为 I2C OD FS 缓冲器定义的 8E+7 值Go
  • （I2C 时序）：添加了一条注释，说明了与 I2C2 信号功能的引脚多路复用相关的 IOSETGo
  • （MCSPI 开关特性 - 控制器模式）：将表注 2、3、4 和 5 中出现的所有 MSPI 更改为 MCSPIGo
  • （所有时序模式的 MMC0 DLL 延迟映射）：更改了寄存器名称，为 ENDLL 添加了新列，更改了旧 SDR 和高速 SDR 的 OTAPDLYENA、SELDLYTXCLK 和 FRQSEL 值，并更改了高速 DDR 和 HS200 模式的 CLKBUFSEL 值Go
  • （HS200 模式）：添加了“MMC0 时序要求”Go
  • （所有时序模式的 MMC1 DLL 延迟映射）：更改了寄存器名称，更改了默认速度和高速模式下的 OTAPDLYENA 和 OTAPDLYSEL 值，并删除了 CLKBUFSEL 列，因为该寄存器位字段不提供任何函数Go
  • （用于 PHY 数据训练的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
  • （OSPI 开关特性 – PHY 数据训练）：改正了与时序参数 O5 相关的公式Go
  • （PHY SDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
  • （OSPI0 开关特性 – PHY SDR 模式）：更正了与时序参数 O10 和 O11 相关的公式Go
  • （PHY DDR 时序模式的 OSPI0 DLL 延迟映射）：为“PHY_MASTER_PHASE_DETECT_SELECTOR_FLD”寄存器位字段添加了延迟值Go
  • （OSPI0 开关特性 – PHY DDR 模式）：更正了与时序参数 O4 和 O5 相关的公式Go
  • （PRU_ICSSG PRU 时序要求 - Σ-Δ 模式）：更新了参数 PRSD4 的说明Go
  • （电源设计）：更新以反映最新的电源设计指南Go
  • （器件命名约定）：更新了特性代码“E”的说明，以阐明对某些以太网协议所需的硬件自动转发功能的支持Go
  • （器件命名约定）：添加了 125°C 工业温度范围Go
  • （工具与软件）：添加了有关 SysConfig 功能的说明Go