ZHCAG10 November   2025 DRV8363-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2电机驱动器系统中的功率损耗和热性能
    1. 2.1 导通损耗
    2. 2.2 开关损耗
      1. 2.2.1 开关频率的影响
  6. 3实际电机驱动器限制
    1. 3.1 电磁干扰 (EMI) – 系统噪声注意事项
    2. 3.2 电机驱动器电压容差
  7. 4摘要
  8. 5参考资料

2.1 导通损耗

当电流从漏极传导到源极时，MOSFET 中会出现导通损耗。MOSFET 导通时的通道电阻通常称为导通状态电阻或 Rds(on)。这些损耗与电流的平方成正比，因此电机电流成为决定导通损耗的主要因素。FOC 换向期间的导通损耗通过以下公式计算得出：

方程式 1. P c o n d u c t i o n   =   3   ×   I R M S 2   ×   R d s ( o n )

示例 1

假设两个系统的总功率为 960W。

系统 A = 12V 电池

系统 B = 48V 电池

方程式 2. P   =   I   ×   V

根据 方程式 2，如果假设 12V 和 48V 系统所需的功率输出相同，则使用欧姆定律，我们可以推导出 48V 系统的工作电流仅为 12 伏系统的四分之一。因此，根据 方程式 1，流经 MOSFET 的电流会更小，使 48V 系统中的导通损耗减少 16 倍。图 2-1 说明了 示例 1 中所示的损耗。

导通损耗（12V 对比 48V）图 2-1 导通损耗（12V 对比 48V）