ZHCAG10 November 2025 DRV8363-Q1
开关损耗是功率损耗的另一种形式,与 MOSFET 导通/关断过程中产生的能量损耗相关。这些损耗与完全转换漏源电压所需的时间及 MOSFET 的开关频率成正比。
FOC 换向期间的开关损耗计算公式如下:
在 12V 汽车系统中,导通损耗在总功耗中占主导地位,因此开关损耗不是重点。不过,随着汽车制造商转向 48V EV/混合动力系统,开关损耗在总损耗中占主导地位。这一市场变化趋势促使更多工程师优化开关行为,以降低总功耗。
关注的核心参数是 MOSFET 在电池电压范围内进行开关转换所需的时间。方法是缩短压摆时间 ( ),可以更高效地切换 MOSFET。通过增加电机驱动器的栅极电流可缩短压摆时间,从而加快压摆率。图 2-2 显示了转换率对开关损耗的影响。