ZHCAG10 November   2025 DRV8363-Q1

 

  1.   1
  2.   摘要
  3.   商标
  4. 1简介
  5. 2电机驱动器系统中的功率损耗和热性能
    1. 2.1 导通损耗
    2. 2.2 开关损耗
      1. 2.2.1 开关频率的影响
  6. 3实际电机驱动器限制
    1. 3.1 电磁干扰 (EMI) – 系统噪声注意事项
    2. 3.2 电机驱动器电压容差
  7. 4摘要
  8. 5参考资料

开关损耗

开关损耗是功率损耗的另一种形式,与 MOSFET 导通/关断过程中产生的能量损耗相关。这些损耗与完全转换漏源电压所需的时间及 MOSFET 的开关频率成正比。

FOC 换向期间的开关损耗计算公式如下:

方程式 3. P s w i t c h i n g   =   3   ×   I R M S   ×   V p e a k   ×   T r i s e / f a l l   ×   F P W M

在 12V 汽车系统中,导通损耗在总功耗中占主导地位,因此开关损耗不是重点。不过,随着汽车制造商转向 48V EV/混合动力系统,开关损耗在总损耗中占主导地位。这一市场变化趋势促使更多工程师优化开关行为,以降低总功耗。

关注的核心参数是 MOSFET 在电池电压范围内进行开关转换所需的时间。方法是缩短压摆时间 ( V o l t a g e T r i s e / f a l l ),可以更高效地切换 MOSFET。通过增加电机驱动器的栅极电流可缩短压摆时间,从而加快压摆率。图 2-2 显示了转换率对开关损耗的影响。

 开关损耗(12V 对比 48V)图 2-2 开关损耗(12V 对比 48V)