ZHCAFS5 September 2025 TMUX1575 , TMUX4827 , TMUX7612 , TS5A22362 , TS5A22364

3 什么是 THD + N

THD + N 与 THD 相似，在低噪声环境中，两者的表现可能差异甚小。但随着系统噪声增大，相较于单独使用 THD，THD+N 指标能更准确地反映系统性能。系统级噪声的来源可能包括高频干扰、通道或器件间的串扰、60Hz 基波或其谐波（120Hz、240Hz 等）频率下的电源线接地环路耦合以及互调失真。其中一些影响可通过适当的屏蔽、PCB 布线间距、接地或滤波技术来控制，但难以完全消除。此外，半导体器件（包括多路复用器）会产生热噪声、闪烁噪声和散粒噪声，这些都会影响 THD+N 的基准噪声水平。

总谐波失真加噪声 (THD + N) 在 THD 的定义基础上进行了扩展，将噪声纳入测量范围：

方程式 2.

T H D + N (%) = \frac{\sqrt[]{\sum_{i = 2}^{\infty} V_{i}^{2} + V_{N}^{2}}}{V_{1}} \times 100 % T H D + N (d B) = 20 \times {l o g}_{10} \frac{\sqrt[]{\sum_{i = 2}^{\infty} V_{i}^{2} + V_{N}^{2}}}{V_{1}}

其中 V₁ 是基波电压幅值，V_i 是第 i 次谐波电压幅值，V_N 表示噪声电压幅值。每个振幅都以 V_RMS 表示。