4 运行期间动态输出电压调整

I²C 接口支持在运行期间调整输出电压。通常采用一个或多个 I²C 寄存器设置输出电压，并且可以在运行期间直接重新写入这些寄存器。一些器件还包含 VID 或 VSEL 引脚，用于在两个或更多输出电压之间切换。在这种情况下，仍可以在运行期间根据需要重新写入这些寄存器，也可以对这些寄存器一次写入至特定的工作电压。

例如，LPDDR5 DRAM VDDQ 电源轨可以设置为 0.5V 或 0.3V。通过重写 I²C 寄存器以更改输出电压，或使用 VID 引脚更改为具有不同输出电压的不同 I²C 寄存器，可以实现此电压更改。LPDDR5 DRAM 与前几代相比，提供了额外的节能效果。在空闲状态下，此时 LPDDR5 DRAM 处于低功耗工作状态中，存储器控制器可以使用 LPDDR5 DRAM 的动态电压和频率缩放 VDDQ (DVFSQ) 功能同时降低电源电压和工作频率。

图 4-1 显示了为 LPDDR5 存储器供电的典型方框图，在 VDDQ 电源轨上进行了动态输出电压调整。

图 4-1 TPS62869 为 LPDDR5 DRAM 上的所有电源轨供电，并在 VDDQ 电源轨上进行动态输出电压调整

系统设计确定是否将使用双电源轨模式来实现额外的节能。与 VDDQ 电源轨（可动态更改）不同，VDD2H/L 始终在固定电压下运行，无论是使用单电源轨还是双电源轨模式。

TPS62869 提供不同的电压斜坡速度，使系统工程师能够为 DVFSQ 由低电平到高电平转换选择正确的条件。例如，如果在 VDDQ 恢复到 0.5V 标称水平，以进行高速运行时需要快速响应，TPS62869 可以将其电压斜坡速度从 1mV/us 调整到 20mV/us。

表 4-1 显示 DVFSQ 转换的最大 VDDQ 斜坡速率。

此外，可以启用操作参数（例如输出电压变化期间的强制 PWM 模式)，以满足 VDDQ 由低电平到高电平转换期间的严格定时要求。这样可在较低的工作状态下进行快速转换，并可防止输出级的缓慢放电，以限制低负载条件下的电压斜坡速度。

图 4-2 显示了在 100mA 负载条件下输出电压变化期间，采用和不采用强制 PWM 模式时的 0.5V 至 0.3V 转换示例。

图 4-2 20mV/us 压摆率下的 0.5V 至 0.3V 输出转换，IOUT = 100mA，在启用更改期间不采用 FPWM 模式（左）和采用 FPWM 模式（右）