ZHCABH1 January   2022 DRV5021 , DRV5021-Q1 , DRV5023 , DRV5023-Q1 , DRV5032 , DRV5033 , DRV5033-Q1 , TMAG5123 , TMAG5123-Q1 , TMAG5124 , TMAG5124-Q1 , TMAG5131-Q1 , TMAG5231 , TMAG5328

 

  1.   摘要
  2.   商标
  3. 1引言
  4. 2设计过程
    1. 2.1 机械实现
    2. 2.2 磁性实现
    3. 2.3 磁体传感器放置
    4. 2.4 原型设计和基准测试
    5. 2.5 布局
    6. 2.6 基准测试
    7. 2.7 基准测试结果
    8. 2.8 误差源
      1. 2.8.1 偏移
      2. 2.8.2 翻滚、偏转和俯仰
      3. 2.8.3 磁体差异
      4. 2.8.4 器件差异和温度漂移
      5. 2.8.5 外部磁场
      6. 2.8.6 附近材料的影响
      7. 2.8.7 基准设置误差
  5. 3总结

2.8.4 器件差异和温度漂移

如前所述，每种类型的霍尔效应器件都将存在一些制造差异，其性能会产生温度漂移。这些问题通过表 2-2 中所示数据表中的最小值和最大值捕获。至少应在设计阶段考虑这些界限，并将其用于计算中。BOP 和 BRP 最大值和最小值之间的差异减小，将导致设计更严格、偏差更小。

表 2-2 DRV5033 磁特性 在自然通风温度范围内测得（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
DRV5033FA：±3.5/±2mT
BOP 操作点 TA = –40°C 至 125°C ±1.8 ±3.5 ±6.8 mT
BRP 释放点 ±0.5 ±2 ±4.2 mT
Bhys 迟滞；Bhys = (BOP – BRP) ±1.5 mT
BO 磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2 ±2.8 mT
DRV5033AJ：±6.9/±3.5mT
BOP 操作点 TA = –40°C 至 125°C ±3 ±6.9 ±12 mT
BRP 释放点 ±1 ±3.5 ±5 mT
Bhys 迟滞；Bhys = (BOP – BRP) 3.4 mT
BO 磁偏移；BO = (BOP + BRP) / 2 5.2 mT

除了 BOP 和 BRP 的差异，芯片贴装和更重要的霍尔元件放置也存在一些差异。这种差异通常可以在类似于图 2-31 的图中的数据表中找到，它等于偏移误差。

GUID-D8DBD528-DB0A-4515-878D-562E9E7ADCC1-low.gif图 2-31 霍尔元件放置示例