高電壓

製造操作電壓超過 650V 的裝置面臨特殊的挑戰。若要防止封裝外產生電弧，必須遵守嚴格的引線間距和封裝設計業界標準。從內部來看，專用模具化合物等材料必須防止在長時間高溫、高濕和大偏壓下發生介電崩潰。對封裝結構進行精確的電場分析有助於防止封裝內部產生電弧。

圖 17 展示了採用 QFN 封裝的 LMG3624 650V、170mΩ GaN FET，其中使用了特殊的高壓塑膠和引線間距。此外，具有整合式驅動器和保護功能的 LMG3650R035 650V、35mΩ GaN FET 支援高達 36A 的電流，並且採用搭載導熱墊的電晶體輪廓無引線 (TOLL) 封裝，具有更大的散熱能力。

圖 17 650V、170mΩ GaN FET 採用 QFN 封裝，實現小型化，同時保持引線間距以支援高電壓。TI TOLL 封裝中帶有導熱墊的 650V、35mΩ GaN FET 可支援更高的電流，並具有更好的熱管理性能。