NESP015A May   2024  – April 2026 TPS53689T

 

  1.   1
  2.   摘要
  3. 1 簡介
  4. 2 轉換器暫態響應
  5. 3 磁層
  6. 4 TLVR 拓撲結構運作原理
    1. 4.1 穩定狀態操作
    2. 4.2 負載暫態升壓
    3. 4.3 負載暫態降壓
    4. 4.4 LC 電感器選擇
    5. 4.5 穩定狀態漣波
  7. 5 功率損耗與效率
  8. 6 相位倍增
  9. 7 PCB 配置
  10. 8 TLVR 最佳化元件
  11. 9 範例並排設計
  12. 10摘要
  13. 11其他資源

負載暫態升壓

圖 13 和 圖 14 顯示了在相同負載升壓條件下,多相降壓轉換器與 TLVR 設計之間的模擬比較。表 2 摘述模擬參數。這些都是使用 TI TPS536C9T DCAP+™ 固定導通時間控制器的閉合迴路模擬。

關於 圖 13 與 圖 14 的一些觀察:

  • TLVR 設計對暫態 (ISUM 擷取 ILOAD) 的反應速度更快,原因在於 ISUM 以更快的速率上升。因此,輸出電壓偏差明顯較低。
  • 在暫態響應期間,多相降壓轉換器設計需要比 TLVR 設計更多的脈衝來做出回應,亦即 TLVR 設計可在暫態事件期間每脈衝提供更多能量。
  • 鑑於固定導通時間控制的本質,脈衝會在暫態響應期間重疊。在脈衝重疊操作期間,LC 電壓會升高至明顯高於輸入電壓的位準,然後在穩定狀態下返回正常運作。
 多相降壓轉換器。圖 13 多相降壓轉換器。
 TLVR。圖 14 TLVR。
表 2 暫態負載升壓與降壓範例的模擬參數。
參數 說明 值
VIN 輸入電壓 12V
VOUT 輸出電壓 0.8V
NTOTAL 總操作相位數 4 相位
fSW 每相位切換頻率 600kHz
ISTEP 載入步進距離 25A 至 325A,瞬時
LM/LBUCK 適用於 TLVR 的磁化電感 LM,適用於降壓的濾波器電感器 LBUCK 150nH/150nH
LC 適用於 TLVR 的 LC 值 180nH
COUT 輸出電容 5.0mF,理想

根據 穩定狀態操作 一節所述的關係,證明 TLVR 能夠以比降壓轉換器更快的速度提升 ISUM,以及其暫態響應為何優異。

降壓轉換器的 ISUM 即是其獨立電感器電流的總和,如 方程式 13 中所示。在 TLVR 設計中,除了每個磁化電流 (ILM) 之外,每個相位都會增加一次 ILC,如 方程式 14 中所示:

方程式 13. I S U M ( b u c k ) = I L 1 + I L 2 + …
方程式 14. I S U M T L V R = I P R I 1 + I P R I 2 + … = I L m 1 + I L c + I L m 2 + I L c + …

系統中的所有電感器皆遵循基本電感器關係。在對負載升壓的暫態響應期間,轉換器會同時開啟 NON 相位。由於各種原因,可能無法一次開啟所有相位,因此也建議讓 NOFF 相位隨時保持關閉。方程式 15 和 方程式 16 顯示多相降壓轉換器的 ISUM 斜率上升。這些方程式未計入控制器反應時間,但僅顯示轉換器拓撲結構的限制。

方程式 15. ↑ S l o p e ( b u c k ) = Δ V L 1 L + Δ V L 2 L + …
方程式 16. ↑ S l o p e ( b u c k ) ≅ N O N V I N - V O U T L - N O F F V O U T L

方程式 17 和 方程式 18 顯示 TLVR 設計的 ISUM 斜率上升,假設 TLVR 磁化電感 LM 等於降壓濾波器電感器 L,以供比較用途:

方程式 17. ↑ S l o p e ( T L V R ) = Δ V L 1 L M + Δ V L C L C + Δ V L 2 L M + Δ V L c L C + …
方程式 18. ↑ S l o p e T L V R ≅ ↑ S l o p e b u c k + N T O T A L   × N O N   ×   V I N - N T O T A L   ×   V O U T L C

透過這種撰寫方式,附加名詞可清楚說明 ILC 對於讓 TLVR 設計比傳統多相降壓設計更快速回應暫態所造成的影響。