ZHCSX72C September 2023 – December 2025 UCG28824 , UCG28826 , UCG28828
PRODUCTION DATA
我们借助图 7-7 说明了 UCG2882x 的初级侧集成式 GaN HEMT 的开关能力。图 7-7 显示了在反激式应用中,器件在两个不同开关周期内 UCG2882x 的漏源电压(与 SW 引脚电压相同)。第一个周期是正常开关周期,然后是 DCM/谷底开关条件下的浪涌开关周期。
GaN HEMT 处于导通状态时,每个周期都在 t0 之前开始。在 t0 时,GaN HEMT 关断,寄生元件导致漏源电压以高频振铃。高频振铃已经减弱了 t1。在 t1 和 t2 之间时,HEMT 漏源处于平坦电压下,在反激式设计中减小了次级绕组电流。在 t2 时,GaN HEMT 在谷底处导通。在正常运行期间,该器件在每个开关周期中均可安全运行,泄漏瞬态电压高达 750V (VSW(tr))。对于罕见的浪涌事件,瞬态振铃电压限制为 800V,平坦电压限制为 750V。