ZHCSX72B October   2024  – July 2025 UCG28826 , UCG28828

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性
    6. 6.6 典型特性
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 详细引脚说明
      1. 7.3.1  HV - 高压输入
      2. 7.3.2  SW - 开关节点
      3. 7.3.3  GND – 接地回路
      4. 7.3.4  FLT - 外部过热故障
      5. 7.3.5  FB – 反馈
      6. 7.3.6  TR - 匝数比
      7. 7.3.7  IPK - 峰值电流和抖动
      8. 7.3.8  FCL - 频率钳位和故障响应
      9. 7.3.9  CDX - CCM，驱动强度和 X 电容器放电
      10. 7.3.10 VCC - 输入偏置
    4. 7.4 特性说明
      1. 7.4.1  自偏置和无辅助检测
      2. 7.4.2  控制律
        1. 7.4.2.1 谷底开关
        2. 7.4.2.2 频率折返
        3. 7.4.2.3 突发模式
        4. 7.4.2.4 连续导通模式 (CCM)
      3. 7.4.3  GaN HEMT 开关能力
      4. 7.4.4  软启动
      5. 7.4.5  频率钳位
      6. 7.4.6  频率抖动
      7. 7.4.7  压摆率控制
      8. 7.4.8  瞬态峰值功率能力
      9. 7.4.9  X 电容器放电
      10. 7.4.10 故障保护
        1. 7.4.10.1 欠压保护
        2. 7.4.10.2 短路保护
        3. 7.4.10.3 输出过压保护
        4. 7.4.10.4 过功率保护（OPP、LPS）
        5. 7.4.10.5 过热保护
        6. 7.4.10.6 FB 开路保护
        7. 7.4.10.7 用于保护功能的错误代码
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 设计要求
      2. 8.2.2 详细设计过程
        1. 8.2.2.1 输入大容量电容器
        2. 8.2.2.2 变压器初级侧电感和匝数比
        3. 8.2.2.3 输出电容器
        4. 8.2.2.4 选择电阻器
      3. 8.2.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 接收文档更新通知
    2. 9.2 支持资源
    3. 9.3 商标
    4. 9.4 静电放电警告
    5. 9.5 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • REZ|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.1 绝对最大额定值

在自然通风条件下的工作温度范围内测得（除非另有说明）(1)
最小值 最大值 单位
VHV(surge) GaN HEMT 漏源电压，浪涌条件 800 V
VSW(tr)(surge) GaN 功率 HEMT 瞬态漏源电压，浪涌条件(2)(4) 800 V
VSW(tr) GaN 功率 HEMT 漏源瞬态电压，每个开关周期(3)(4) 750 V
VSW GaN 功率 HEMT 连续漏源电压，FET 关断 700 V
IDS GaN 功率 HEMT 连续电流，FET 导通 受内部限制 A
引脚电压 FLT、TR、IPK、FCL、CDX、FB -0.3 5.5 V
VCC -0.3 6.5
TJ 结温 -40 150 °C
Tstg 贮存温度 -65 150 °C
(1) 在 绝对最大额定值 范围外运行可能对器件造成永久损坏。绝对最大额定值 并不表示器件在这些条件下或在建议的工作条件 以外的任何其他条件下能够正常运行。如果超出 建议运行条件 但在 绝对最大额定值 范围内使用，器件可能不会完全正常运行，这可能影响器件的可靠性、功能和性能并缩短器件寿命。
(2) 持续时间限制为 <100µs 的一次事件
(3) <900ns 时，减弱至 VSW(Plateau) = 600V
(4) 有关 GaN 功率 FET 开关能力的更多信息，请参阅 GaN HEMT 开关能力。