ZHCSYN4 July   2025 TRF1305C1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性 - D2D 配置下的交流规格
    6. 6.6 电气特性 - S2D 配置下的交流规格
    7. 6.7 电气特性 - 直流和时序规格
    8. 6.8 典型特性：D2D 配置
    9. 6.9 典型特性：S2D 配置
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 全差分射频放大器
      2. 7.3.2 输出共模控制
      3. 7.3.3 内部电阻配置
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 MODE 引脚
        1. 7.4.1.1 输入共模范围扩展
      2. 7.4.2 断电模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入和输出接口注意事项
        1. 8.1.1.1 单端输入
        2. 8.1.1.2 差分输入
        3. 8.1.1.3 直流耦合注意事项
      2. 8.1.2 在差分输入配置中使用外部电阻器进行增益调整
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 TRF1305C1 用作零中频接收器中的 ADC 驱动器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 电源电压
      2. 8.3.2 单电源供电
      3. 8.3.3 双电源供电
      4. 8.3.4 电源去耦
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RPV|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.7 电气特性 - 直流和时序规格

TA = 25℃，VS+= 5V，VS–= 0V，悬空 VOCM、PD 和 MODE 引脚，VICM = 1/2 Vs，ZL = 100Ω，并且规格适用于 S2D 和 D2D 配置（除非另有说明）
参数 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位
直流性能
VOD-MAX 最大差分输出电压 f = 1GHz 4 VPP
压摆率 2V VO 阶跃，直流耦合，
VS+ = 2.5V，VS–= –2.5V		 25 kV/µs
输出差分失调电压 ±3 mV
过驱动恢复时间 直流耦合，VS+ = 2.5V，VS–= –2.5V，从每个 SE 输出的 2 倍过驱到每个输出电压稳定至 <±50mV 6 ns
共模
VICM 输入共模电压 默认范围(1) VS– + 1.5 VS– + 3.5 V
VOCM 输出共模电压 VS– + 2 VS– + 3 V
来自 VOCM 电压的输出共模失调电压 -20 20 mV
阻抗
ZIN-SE 单端输入阻抗 S2D，INP 引脚，在 INM 引脚上端接 50Ω 电阻 45 Ω
ZIN-DIFF 差分输入阻抗 D2D，面向器件引脚 33.3 Ω
D2D，面向 RIN_SH，请参阅 图 8-3 76.9
ZO-DIFF 差分输出阻抗 差分输出阻抗 8 Ω
电源
IQA 有源静态电流 108 mA
IQPD 关断静态电流 14 mA
断电
VPD_Hi PD 引脚逻辑高电平 以 GND 为基准，请参阅 节 6.1 1.35 V
VPD_Lo PD 引脚逻辑低电平 以 GND 为基准，请参阅 节 6.1 0.3 V
IPD_Bias PD 偏置电流（PD 引脚上的电流） PD = 高电平（1.8V 逻辑） 10.5 15 µA
PD = 高电平（3.3V 逻辑） 19 30
tON 导通时间 S2D，直流耦合，VS+= 2.5V，VS–= –2.5V，从 50% VPD 转换至 90% 射频输出 25 ns
tOFF 关断时间 S2D，直流耦合，VS+= 2.5V，VS–= –2.5V，从 50% VPD 转换至 10% 射频输出 20 ns
(1) 在 D2D 配置中，VICM 范围可以扩展到更接近 VS+ 或 VS–。另请参阅节 7.4.1。