ZHCSYN4 July   2025 TRF1305C1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 引脚配置和功能
  7. 6 规格
    1. 6.1 绝对最大额定值
    2. 6.2 ESD 等级
    3. 6.3 建议运行条件
    4. 6.4 热性能信息
    5. 6.5 电气特性 - D2D 配置下的交流规格
    6. 6.6 电气特性 - S2D 配置下的交流规格
    7. 6.7 电气特性 - 直流和时序规格
    8. 6.8 典型特性：D2D 配置
    9. 6.9 典型特性：S2D 配置
  8. 7 详细说明
    1. 7.1 概述
    2. 7.2 功能方框图
    3. 7.3 特性说明
      1. 7.3.1 全差分射频放大器
      2. 7.3.2 输出共模控制
      3. 7.3.3 内部电阻配置
    4. 7.4 器件功能模式
      1. 7.4.1 MODE 引脚
        1. 7.4.1.1 输入共模范围扩展
      2. 7.4.2 断电模式
  9. 8 应用和实施
    1. 8.1 应用信息
      1. 8.1.1 输入和输出接口注意事项
        1. 8.1.1.1 单端输入
        2. 8.1.1.2 差分输入
        3. 8.1.1.3 直流耦合注意事项
      2. 8.1.2 在差分输入配置中使用外部电阻器进行增益调整
    2. 8.2 典型应用
      1. 8.2.1 TRF1305C1 用作零中频接收器中的 ADC 驱动器
        1. 8.2.1.1 设计要求
        2. 8.2.1.2 详细设计过程
        3. 8.2.1.3 应用曲线
    3. 8.3 电源相关建议
      1. 8.3.1 电源电压
      2. 8.3.2 单电源供电
      3. 8.3.3 双电源供电
      4. 8.3.4 电源去耦
    4. 8.4 布局
      1. 8.4.1 布局指南
        1. 8.4.1.1 散热注意事项
      2. 8.4.2 布局示例
  10. 9 器件和文档支持
    1. 9.1 文档支持
      1. 9.1.1 相关文档
    2. 9.2 接收文档更新通知
    3. 9.3 支持资源
    4. 9.4 商标
    5. 9.5 静电放电警告
    6. 9.6 术语表
  11. 10修订历史记录
  12. 11机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • RPV|12
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.8 典型特性：D2D 配置

TA = 25℃，VS+ = 5V，VS– = 0V，悬空 VOCM、PD 和 MODE 引脚，VICM = 1/2 Vs，D2D 交流耦合输入/输出配置，ZS = 100Ω，ZL = 100Ω，外部输入电阻器网络（请参阅 图 8-3），输入剥离至 RIN_SH，输出剥离至器件引脚，并显示环境温度，电阻器网络包含在 DUT 特性图中（除非另有说明）

TRF1305C1 整个温度范围内的功率增益 (Sdd21)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-1 整个温度范围内的功率增益 (Sdd21)
TRF1305C1 整个温度范围内的输入回波损耗 (Sdd11)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-3 整个温度范围内的输入回波损耗 (Sdd11)
TRF1305C1 整个温度范围内的输出回波损耗 (Sdd22)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-5 整个温度范围内的输出回波损耗 (Sdd22)
TRF1305C1 整个温度范围内的反向隔离 (Sdd12)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-7 整个温度范围内的反向隔离 (Sdd12)
TRF1305C1 整个温度范围内的 OIP3
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-9 整个温度范围内的 OIP3
TRF1305C1 整个温度范围内的 OIP3
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-11 整个温度范围内的 OIP3
TRF1305C1 整个温度范围内的 IMD3 更低
在 (2f1 – f2) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-13 整个温度范围内的 IMD3 更低
TRF1305C1 整个温度范围内的 IMD3 更高
在 (2f2 – f1) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-15 整个温度范围内的 IMD3 更高
TRF1305C1 整个温度范围内的 IMD3 更低
在 (2f1 – f2) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-17 整个温度范围内的 IMD3 更低
TRF1305C1 整个温度范围内的 IMD3 更高
在 (2f2 – f1) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-19 整个温度范围内的 IMD3 更高
TRF1305C1 整个温度范围内的 OIP2
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-21 整个温度范围内的 OIP2
TRF1305C1 整个温度范围内的 OIP2
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-23 整个温度范围内的 OIP2
TRF1305C1 整个温度范围内的 IMD2
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-25 整个温度范围内的 IMD2
TRF1305C1 整个温度范围内的 IMD2
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-27 整个温度范围内的 IMD2
TRF1305C1 整个输出功率和温度范围内的 HD2
 
图 6-29 整个输出功率和温度范围内的 HD2
TRF1305C1 整个输出功率和温度范围内的 HD3
 
图 6-31 整个输出功率和温度范围内的 HD3
TRF1305C1 整个温度范围内的 OP1dB
 
图 6-33 整个温度范围内的 OP1dB
TRF1305C1 整个温度范围内的噪声系数
 
图 6-35 整个温度范围内的噪声系数
TRF1305C1 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP3
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔，直流耦合输入并通过偏置器强制 VICM
图 6-37 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP3
TRF1305C1 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP2
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔，直流耦合输入并通过偏置器强制 VICM
图 6-39 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP2
TRF1305C1 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OP1dB
直流耦合输入并通过偏置器强制 VICM
图 6-41 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OP1dB
TRF1305C1 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD2
PO = 7dBm，直流耦合输入并
并通过偏置器强制 VICM
图 6-43 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD2
TRF1305C1 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD3
PO = 7dBm，直流耦合输入并
并通过偏置器强制 VICM
图 6-45 500MHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD3
TRF1305C1 阶跃响应
直流耦合，VS+ = 2.5V，VS– = –2.5V
图 6-47 阶跃响应
TRF1305C1 共模抑制比 (CMRR)
Sdc21 和 Scc21 采用 50Ω 源阻抗 c 时，每个驱动输入引脚处的 PIN = –20dBm，适用于共模
图 6-49 共模抑制比 (CMRR)
TRF1305C1 整个电源电压范围内的功率增益 (Sdd21)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-2 整个电源电压范围内的功率增益 (Sdd21)
TRF1305C1 整个电源电压范围内的输入回波损耗 (Sdd11)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-4 整个电源电压范围内的输入回波损耗 (Sdd11)
TRF1305C1 整个电源电压范围内的输出回波损耗 (Sdd22)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-6 整个电源电压范围内的输出回波损耗 (Sdd22)
TRF1305C1 整个电源电压范围内的反向隔离 (Sdd12)
PIN = 所有激励端口均接 50Ω 信号源时为 –20dBm，
非激励端口与 50Ω 端接
图 6-8 整个电源电压范围内的反向隔离 (Sdd12)
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 OIP3
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-10 整个电源电压范围内的 OIP3
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 OIP3
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-12 整个电源电压范围内的 OIP3
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 IMD3 更低
在 (2f1 – f2) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-14 整个电源电压范围内的 IMD3 更低
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 IMD3 更高
在 (2f2 – f1) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-16 整个电源电压范围内的 IMD3 更高
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 IMD3 更低
在 (2f1 – f2) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-18 整个电源电压范围内的 IMD3 更低
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 IMD3 更高
在 (2f2 – f1) 频率下，其中 f1 < f2，
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-20 整个电源电压范围内的 IMD3 更高
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 OIP2
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-22 整个电源电压范围内的 OIP2
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 OIP2
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-24 整个电源电压范围内的 OIP2
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 IMD2
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-26 整个电源电压范围内的 IMD2
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 IMD2
PO = –5dBm/子载波，2MHz 子载波间隔
图 6-28 整个电源电压范围内的 IMD2
TRF1305C1 整个输出功率和电源电压范围内的 HD2
 
图 6-30 整个输出功率和电源电压范围内的 HD2
TRF1305C1 整个输出功率和电源电压范围内的 HD3
 
图 6-32 整个输出功率和电源电压范围内的 HD3
TRF1305C1 整个电源电压范围内的 OP1dB
 
图 6-34 整个电源电压范围内的 OP1dB
TRF1305C1 整个电源电压范围内的噪声系数
 
图 6-36 整个电源电压范围内的噪声系数
TRF1305C1 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP3
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔，直流耦合输入并通过偏置器强制 VICM
图 6-38 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP3
TRF1305C1 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP2
PO = 1dBm/子载波，2MHz 子载波间隔，直流耦合输入并通过偏置器强制 VICM
图 6-40 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OIP2
TRF1305C1 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OP1dB
直流耦合输入并通过偏置器强制 VICM
图 6-42 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 OP1dB
TRF1305C1 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD2
PO = 7dBm，直流耦合输入并
并通过偏置器强制 VICM
图 6-44 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD2
TRF1305C1 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD3
PO = 7dBm，直流耦合输入并
并通过偏置器强制 VICM
图 6-46 2GHz 时不同 VICM 和 VOCM 条件下的 HD3
TRF1305C1 整个差分输入功率范围内的差分输出功率
 
图 6-48 整个差分输入功率范围内的差分输出功率
TRF1305C1 过驱恢复响应
直流耦合，VS+ = 2.5V，VS– = –2.5V，2 至 4 倍的输出电压对应的是 VINP 和 VINM 2 至 4 倍的输入电压
图 6-50 过驱恢复响应