ZHCSST0 数据表 | 德州仪器 TI.com.cn

PRODMIX

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

驱动器所需的外部自举电容器连接在 BOOT 和 ASW 之间。自举电容器电压用作高侧线性稳压器 BP5H 的输入，为高侧 GaN FET 提供栅极驱动电压。选择自举电容器的一般原则是，其值应至少是所驱动的高侧 GaN FET 栅极电容的 10 倍：

方程式 1.

C_{B O O T} \geq 10 \times C_{g}

其中：

要更具体地计算出所需的最小自举电容，可以使用方程式 2：

方程式 2.

C_{B O O T} \geq \frac{Q_{t o t a l}}{{∆ V}_{B O O T}}

方程式 3.

Q_{t o t a l} = Q_{g} + I_{Q B G} \times \frac{D_{M A X}}{f_{S W}} + \frac{I_{Q H S}}{f_{S W}}

其中：

∆V_BOOT 是为了正常运行 BOOT 上允许的最大压降：

方程式 4.

{∆ V}_{B O O T} = V I N - (n \times V_{F}) - V_{B O O T_U V L O}

其中：

使用足够大的电容器，可以使用 TPS7H60x5 器件支持低频电机驱动器应用。建议选择具有低 ESR 和 ESL 的自举电容器。自举电容器的额定电压应在最大预期自举电压之上有足够的裕量。