ZHCSST0C June   2024  – April 2025 TPS7H6005-SEP , TPS7H6005-SP , TPS7H6015-SEP , TPS7H6015-SP , TPS7H6025-SEP , TPS7H6025-SP

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 器件比较表
  6. 5 器件选项表
  7. 6 引脚配置和功能
  8. 7 规格
    1. 7.1 绝对最大额定值
    2. 7.2 ESD 等级
    3. 7.3 建议运行条件
    4. 7.4 热性能信息
    5. 7.5 电气特性
    6. 7.6 开关特性
    7. 7.7 质量合格检验
    8. 7.8 典型特性
  9. 8 详细说明
    1. 8.1 概述
    2. 8.2 功能方框图
    3. 8.3 特性说明
      1. 8.3.1  输入电压
      2. 8.3.2  线性稳压器运行
      3. 8.3.3  自举运行
        1. 8.3.3.1 自举充电
        2. 8.3.3.2 自举电容器
        3. 8.3.3.3 自举二极管
        4. 8.3.3.4 自举电阻
      4. 8.3.4  高侧驱动器启动
      5. 8.3.5  输入和输出
      6. 8.3.6  死区时间
      7. 8.3.7  输入互锁保护
      8. 8.3.8  欠压锁定和电源正常 (PGOOD)
      9. 8.3.9  SW 负电压瞬变
      10. 8.3.10 电平转换器
    4. 8.4 器件功能模式
  10. 9 应用和实施
    1. 9.1 应用信息
    2. 9.2 典型应用
      1. 9.2.1 设计要求
      2. 9.2.2 详细设计过程
        1. 9.2.2.1 自举电容器和旁路电容器
        2. 9.2.2.2 自举二极管
        3. 9.2.2.3 BP5x 过冲和下冲
        4. 9.2.2.4 栅极电阻器
        5. 9.2.2.5 死区时间电阻器
        6. 9.2.2.6 栅极驱动器损耗
      3. 9.2.3 应用曲线
    3. 9.3 电源相关建议
    4. 9.4 布局
      1. 9.4.1 布局指南
      2. 9.4.2 布局示例
  11. 10器件和文档支持
    1. 10.1 文档支持
      1. 10.1.1 相关文档
    2. 10.2 接收文档更新通知
    3. 10.3 支持资源
    4. 10.4 商标
    5. 10.5 静电放电警告
    6. 10.6 术语表
  12. 11修订历史记录
  13. 12机械、封装和可订购信息

封装选项

请参考 PDF 数据表获取器件具体的封装图。

机械数据 (封装 | 引脚)
  • DCA|56
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

9.1 应用信息

TPS7H60x5 系列包含半桥栅极驱动器，用于在航天环境中实现对 GaN FET 的出色控制。每款器件都实现了高频、高效的航天级转换器设计，同时提供出色的稳健性，抵御辐射诱发的效应。这些驱动器包含用于低侧和高侧栅极电压的集成式 5V 线性稳压器，可确保驱动的 GaN FET 具有更高的可靠性。驱动器的主要用例是半桥配置，例如同步降压或全桥拓扑。但是，驱动器也可轻松地用于其他常见的转换器拓扑中，例如推挽式、有源钳位正激式或双开关正激式（增加了外部电路）。

TPS7H60x5 具有多种特性，支持在以 GaN 为中心的转换器设计中与传统耐辐射 PWM 控制器和 TPS7H5001-SP 或 TPS7H5005-SEP 等更新的器件配合工作。该驱动器的输入引脚可接受高达 14V 的信号，因而可直接连接具有高输出电压的旧版 PWM 控制器。该器件还提供两种不同的工作模式：PWM 模式和独立输入模式 (IIM)。在 PWM 模式下，栅极驱动器仅需要一个输入，同时生成控制同步降压转换器所需的初级和同步整流输出。生成的信号之间的死区时间可通过栅极驱动器进行编程。IIM 允许通过独立信号控制低侧和高侧，或者在需要时可用于在双低侧配置中运行该器件。在 IIM 中，可以根据特定用户需求打开或关闭互锁保护。

此外，该器件为其内部稳压器以及 VIN 和 BOOT 电压提供欠压锁定保护。驱动器中集成了一个可选的自举开关，允许通过 VIN 为自举二极管充电，并且仅在低侧输出导通时保持导通状态。TPS7H60x5 的特性和辐射性能相结合，使其非常适合用在航天级转换器设计中。