ZHCSUN5 February 2024 TPS61299-Q1
PRODUCTION DATA
当输入电压接近或高于输出电压时,TPS61299-Q1 采用降压模式和直通运行。
在降压模式运行期间,即使输入电压高于输出电压,该器件也会将输出电压调节到目标电压。控制电路通过将其栅极拉至输入电压而非地来控制对 P 沟道 MOSFET 进行整流的操作。这样,P 沟道 MOSFET 两端的压降增加至足以调节输出电压的程度。
在直通模式下,TPS61299-Q1 停止开关并打开高侧 P 沟道 MOSFET。输出电压等于输入电压减去电感器 DCR 与 P 沟道 MOSFET 的导通电阻 (RDS(on)) 两端的压降。在直通运行期间,该器件会禁用输入电流限制功能、反向电流保护和热关断。
对于 TPS61299-Q1,当输入电压逐渐上升时,该器件会在 Vin > Vout-35mV 时进入降压模式。器件会保持在降压模式,直至 Vin > Vout+100mV,然后自动进入直通运行。在直通运行时,输出电压跟随输入电压。TPS61299-Q1 退出直通运行,并在输出电压降至低于设置目标电压减去 75mV 时恢复为升压模式。