ZHCSL06E February   2008  – September 2025 TPS51200

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特性
  3. 2 应用
  4. 3 说明
  5. 4 引脚配置和功能
  6. 5 规格
    1. 5.1 绝对最大额定值
    2. 5.2 ESD 等级
    3. 5.3 建议运行条件
    4. 5.4 热性能信息
    5. 5.5 电气特性
    6. 5.6 典型特性
  7. 6 详细说明
    1. 6.1 概述
    2. 6.2 功能方框图
    3. 6.3 特性说明
      1. 6.3.1  灌电流和拉电流稳压器（VO 引脚）
      2. 6.3.2  基准输入（REFIN 引脚）
      3. 6.3.3  基准输出（REFOUT 引脚）
      4. 6.3.4  软启动序列
      5. 6.3.5  使能控制（EN 引脚）
      6. 6.3.6  电源正常功能（PGOOD 引脚）
      7. 6.3.7  电流保护（VO 引脚）
      8. 6.3.8  UVLO 保护（VIN 引脚）
      9. 6.3.9  热关断
      10. 6.3.10 跟踪启动和关闭
      11. 6.3.11 VTT DIMM 应用的输出容差注意事项
      12. 6.3.12 DDR2 应用的 REFOUT (VREF) 考虑因素
    4. 6.4 器件功能模式
      1. 6.4.1 低输入电压应用
      2. 6.4.2 S3 和伪 S5 支持
  8. 7 应用和实施
    1. 7.1 应用信息
    2. 7.2 典型应用
      1. 7.2.1 设计要求
      2. 7.2.2 详细设计过程
        1. 7.2.2.1 输入电压电容器
        2. 7.2.2.2 VLDO 输入电容器
        3. 7.2.2.3 输出电容器
      3. 7.2.3 应用曲线
    3. 7.3 系统示例
      1. 7.3.1 3.3VIN、DDR2 配置
      2. 7.3.2 2.5VIN、DDR3 配置
      3. 7.3.3 3.3VIN、LP DDR3 或 DDR4 配置
      4. 7.3.4 3.3VIN、DDR3 跟踪配置
      5. 7.3.5 3.3VIN、LDO 配置
      6. 7.3.6 采用 LFP 的 3.3VIN DDR3 配置
    4. 7.4 电源相关建议
    5. 7.5 布局
      1. 7.5.1 布局指南
      2. 7.5.2 布局示例
      3. 7.5.3 散热设计注意事项
  9. 8 器件和文档支持
    1. 8.1 器件支持
      1. 8.1.1 开发支持
        1. 8.1.1.1 评估模块
        2. 8.1.1.2 Spice 模型
    2. 8.2 文档支持
      1. 8.2.1 相关文档
    3. 8.3 接收文档更新通知
    4. 8.4 支持资源
    5. 8.5 商标
    6. 8.6 静电放电警告
    7. 8.7 术语表
  10. 9 修订历史记录
  11. 10机械、封装和可订购信息

封装选项

机械数据 (封装 | 引脚)
散热焊盘机械数据 (封装 | 引脚)
订购信息

6.3.12 DDR2 应用的 REFOUT (VREF) 考虑因素

在 TPS51200 跟踪启动期间，REFIN 电压通过分压器跟随 VDDQ 电源轨的上升，一旦 REFIN 电压大于 0.39V，REFOUT (VREF) 就跟随 REFIN。当 REFIN 电压低于 0.39V 时，VREF 为 0V。

JEDEC DDR2 SDRAM 标准 (JESD79-2E) 规定，VREF 必须在启动期间在 ±0.3V 精度内跟踪 VDDQ/2。要让 TPS51200

器件符合 JEDEC DDR2 规范，可使用电阻分压器向 DIMM 提供 VREF 信号。电阻分压器分压比为 0.5，以确保 VREF 电压等于 VDDQ/2。

TPS51200 电阻分压器电路图 6-5 电阻分压器电路

选择电阻值时，请考虑 DIMM VREF 引脚漏电流对基准电压的影响。根据方程式 4 来计算电阻值。

方程式 4. TPS51200

其中

  • RREF 为电阻值
  • ∆VREF 是 VREF 直流变化要求
  • IREF 是来自 DIMM 的最大总计 VREF 漏电流

以 Micron 的 MT47H64M16 DDR2 SDRAM 元件为例。MT47H64M16 数据表显示，每个 DIMM 的最大 VREF 漏电流为 ±2µA，并且 VREF(DC) 变化必须在 VDDQ 的 ±1% 范围内。在此 DDR2 应用中，VDDQ 电压为 1.8V。假设一个 TPS51200 器件需要为 4 个 DIMM 供电，则最大 VREF 总漏电流为 ±8µA。根据计算结果，电阻值应低于 4.5kΩ。为了确保有足够的裕度，建议使用的电阻值为 100Ω。使用两个 100Ω 电阻器时，最大 VREF 变化为 0.4mV，每个电阻器上的功率损耗为 8.1mW。